[发明专利]一种阵列基板和阵列基板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板和阵列基板的制备方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor Crystal，TFT)根据有源层的不同材料，可以划分为非晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管，其中，氧化物薄膜晶体管，例如铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)薄膜晶体管由于具有电子迁移率高、透明性好、漏电流低等优点，因此，备受面板制造厂商的青睐，而且，氧化物薄膜晶体管的制备工艺与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容性较好，现有非晶硅薄膜晶体管的显示面板的生产产线不需要额外进行产线的升级或改造，既可生产氧化物薄膜晶体管的显示面板，从而进一步使面板制造厂商更佳青睐氧化物薄膜晶体管。

氧化物薄膜晶体管的显示面板包括阵列基板，阵列基板包括基底和形成在基底上的氧化物薄膜晶体管和钝化层，氧化物薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，源极和漏极位于有源层远离基底的一侧，且分别与有源层的两端相连，钝化层覆盖源极、漏极和有源层。为提高氧化物薄膜晶体管的电学特性，钝化层的材料选用氧化硅，氧化硅在沉积过程中，沉积气体可以在高温的作用下电离产生氧离子，氧离子可以注入有源层内，从而可以减少有源层内的缺陷，相应提高氧化物薄膜晶体管的电学特性，但是，由于源极和漏极的材料为电阻率较低的铜、铝等金属材料，上述金属材料在高温且氧离子浓度较高的条件下，容易发生氧化，导致其电阻率变大，从而使阵列基板的信号延迟量较大，进而影响显示面板的显示效果。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板和阵列基板的制备方法，用以至少部分解决现有阵列基板的源极和漏极容易被氧化的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括基底和形成在所述基底上的源极、漏极、有源层和钝化层，所述有源层覆盖所述源极和/或所述漏极，所述钝化层覆盖所述有源层。

优选的，所述有源层覆盖所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极同层设置；所述钝化层与所述漏极对应的位置形成有贯穿所述钝化层和所述有源层的第一过孔；

所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极相连。

优选的，所述有源层覆盖所述源极；所述钝化层上未与所述源极对应的位置形成有贯穿所述钝化层的第二过孔，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层相连；

所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极覆盖所述漏极。

优选的，所述阵列基板还包括形成在所述基底上的数据线，所述数据线与所述源极同层设置，所述有源层覆盖所述数据线。

优选的，所述有源层覆盖所述漏极；所述钝化层上未与所述漏极对应的位置形成有贯穿所述钝化层的第三过孔，所述源极通过所述第三过孔与所述有源层相连；所述钝化层上与所述漏极对应的位置形成有贯穿所述钝化层和所述有源层的第四过孔；

所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极通过所述第四过孔与所述漏极相连。

优选的，所述阵列基板还包括形成在所述基底上的数据线，所述数据线与所述源极同层设置，所述像素电极覆盖所述数据线和/或所述源极。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括：

在基底上形成源极的图形和/或漏极的图形；

在形成有所述源极的图形和/或所述漏极的图形的基底上形成有源层的图形，所述有源层的图形覆盖所述源极的图形和/或所述漏极的图形；

在形成有所述有源层的图形的基底上形成钝化层的图形，所述钝化层的图形覆盖所述有源层的图形。

优选的，所述在基底上形成源极的图形和/或漏极的图形的步骤具体包括：在所述基底上沉积源漏极薄膜，通过一次构图工艺形成所述源极的图形和所述漏极的图形；

所述在形成有所述源极的图形和/或所述漏极的图形的基底上形成有源层的图形的步骤具体包括：在形成有所述源极的图形和所述漏极的图形的基底上沉积有源层薄膜，通过构图工艺形成有源层的图形，所述有源层的图形覆盖所述源极的图形和所述漏极的图形；

所述在形成有所述有源层的图形的基底上形成钝化层的图形的步骤具体包括：在形成有所述有源层的图形的基底上沉积钝化层薄膜，通过构图工艺在所述钝化层薄膜与所述漏极的图形对应的位置形成贯穿所述钝化层薄膜和所述有源层薄膜的第一过孔，以形成钝化层的图形；