[发明专利]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于：包括至少一个元胞，且任意一个元胞的结构包括：

N型基底；

在所述N型基底的一侧包含至少一个第一槽单元和至少一个第二槽单元；

在所述N型基底的另一侧包含至少一个P型半导体区，所述P型半导体区称为阳极区；

至少一个N型载流子势垒区，所述N型载流子势垒区的掺杂浓度高于所述N型基底的掺杂浓度；

至少一个P型电场屏蔽区；

在所述第一槽单元的底部设有所述N型载流子势垒区，在所述第二槽单元的底部设有所述P型电场屏蔽区，所述N型载流子势垒区设有与所述第一槽单元的底部直接接触的面，还设有与所述第二槽单元的侧壁直接接触的面，所述P型电场屏蔽区设有与所述第二槽单元的底部直接接触的面；

在所述第一槽单元内设有栅极区，所述栅极区与半导体材料之间有第一介质相隔离，在所述第二槽单元内设有阴极区，所述阴极区与半导体材料之间设有第二介质相隔离；

所述半导体器件至少包括一个第一电极和一个第二电极；

所述P型半导体区设有与所述第一电极直接接触的面；

所述阴极区与所述第二电极相连接；

至少一个所述栅极区与所述第二电极之间设有第三介质相隔离，所述栅极区称为半导体器件的第三电极。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述第一槽单元的宽度可以等于所述第二槽单元的宽度，所述第一槽单元也可以不等于第二槽单元的宽度；所述第一槽单元的深度小于等于所述第二槽单元的深度。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：在所述N型基底的一侧设有至少一个浮空P型半导体区，所述浮空P型半导体区与所述第二电极之间设有第四介质相隔离。

4.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述P型半导体区与所述N型基底之间设有一个第一N型半导体区，所述N型半导体区称为电场截止区。

5.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述N型基底通过一个第二N型半导体区与所述第一电极相连接。

6.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述元胞包括两个或两个以上的所述第一槽单元，其中至少有一个第一栅极或第二栅极与所述第二电极相连接。

7.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述元胞包括两个或两个以上的第二槽单元，其中至少有两个所述P型电场屏蔽区相接触。

8.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件是一个MOS控制的双极型晶体管，在所述第一槽单元和所述第二槽单元之间设有一个P型源体区；

所述P型源体区在紧贴所述第一槽单元的一侧至少有一个N型电子源区；

至少有部分所述P型源体区与部分所述N型电子源区与所述第二电极相连接；

所述第一槽单元、所述N型载流子势垒区、P型源体区以及所述N型电子源区构成MOS结构。

9.根据权利要求8所述的一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件是一个MOS控制的晶闸管。

10.根据权利要求8所述的一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件是一个二极管。

11.根据权利要求8所述的一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件是一个肖克莱二极管。

12.根据权利要求8所述的一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件是一个门极可关断晶闸管。

13.根据权利要求1-12任意一项所述的一种半导体器件，其特征在于：N型和P型可相互交换。