[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201710757092.1 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427887B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；
对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构其中一侧的区域执行第一离子注入工艺，以形成第一离子注入区，所述第一离子注入工艺的注入离子包括碳和氮；
对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构的两侧区域执行第二离子注入工艺，以形成第二离子注入区，其中，所述第二离子注入工艺的注入剂量小于所述第一离子注入工艺的注入剂量，所述第二离子注入工艺的注入离子包括碳或氮；
对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构两侧的区域执行LDD注入，以形成LDD区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入区是在所述栅极堆叠结构的源极一侧形成的。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺包括倾斜于所述半导体衬底的离子注入工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LDD注入包括垂直于所述半导体衬底的轻掺杂离子注入工艺。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LDD注入的注入离子包括硼或铟。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二离子注入工艺包括垂直于所述半导体衬底的离子注入工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710757092.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MOSFET及制备方法、电子设备、车辆
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
