[发明专利]阵列基板制备方法有效
申请号: | 201710756891.7 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN109426014B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 贾玉坤;王念念;王淼;范大林;杨帆;张歌;冯宗锐 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板制备方法,包括于基底上形成多条第一引线的步骤和形成多个像素电极的步骤,其中,所述第一引线与像素电极在基底上的正投影无重叠,且它们的所在层间无绝缘层;其特征在于,所述阵列基板的制备方法还包括:
形成多条与所述第一引线绝缘的连接线,每条所述连接线将至少两个像素电极电连接,多个通过所述连接线电连接的像素电极构成一条等效线,每条所述等效线至少有一个端部位于阵列基板边缘部;
检测所述等效线与第一引线是否短路;
除去至少部分所述连接线,使任意两像素电极间均不电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述第一引线为栅线或数据线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述阵列基板还包括与像素电极叠置的公共电极,所述公共电极与像素电极间设有绝缘层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述连接线与第一引线同层设置且同步形成。
5.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述连接线与像素电极同层设置且同步形成。
6.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述连接线设于两相邻的像素电极间,并将所述两相邻的像素电极电连接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,各所述像素电极排成阵列,多个沿第一方向设置的像素电极构成一排;
所述第一引线沿第一方向延伸,且位于相邻排的像素电极之间。
8.根据权利要求7所述的阵列基板制备方法,其特征在于,同一排中的所述像素电极被连接线电连接形成一条等效线。
9.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述连接线包括连接在相邻的像素电极之间的部分;
所述除去至少部分连接线包括:除去所述位于相邻的像素电极之间的全部或部分连接线。
10.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述除去至少部分所述连接线包括:
通过刻蚀除去至少部分所述连接线。
11.根据权利要求10所述的阵列基板制备方法,其特征在于,在形成所述连接线后,还包括:
形成包括第一过孔和第二过孔的第一绝缘层,所述第一过孔处设有连接线,所述第二过孔位于与第一过孔不同的位置;
所述除去至少部分所述连接线包括:通过刻蚀除去所述第一过孔处的连接线。
12.根据权利要求11所述的阵列基板制备方法,其特征在于,在形成所述第一绝缘层后,还包括:
形成具有开口的公共电极,所述开口对应第一过孔;
所述除去至少部分所述连接线包括:通过刻蚀除去所述开口处的连接线。
13.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,若检测发现等效线与第一引线间存在短路,则:
确定等效线中的像素电极与第一引线间发生短路的位置;
将等效线中的像素电极与第一引线发生短路的部分切断。
14.根据权利要求13所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述将等效线中的像素电极与第一引线发生短路的部分切断包括:
通过激光将等效线中的像素电极与第一引线发生短路的部分切断。
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