[发明专利]半导体晶片和方法

权利要求书

1.一种对衬底晶片的表面进行平坦化的方法，所述衬底晶片包括器件表面区域，所述器件表面区域包括一个或多个台面，所述一个或多个台面被布置在所述器件表面区域上、并且包括用于晶体管器件的III族氮化物层的堆叠，所述方法包括：

将第一层施加到包括突出区域的表面，使得所述第一层覆盖所述表面和所述突出区域；

去除所述突出区域之上的所述第一层的一部分，并在所述突出区域之上的所述第一层中形成凹陷，所述突出区域保持被所述第一层的材料覆盖；和

逐渐去除所述第一层的最外表面以产生平坦化的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过化学机械抛光逐渐去除所述第一层的所述最外表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述突出区域之上的所述第一层的初始厚度减少80％至90％，以形成所述凹陷。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一层上形成结构化的掩膜，所述结构化的掩膜在所述突出区域之上具有开口，所述开口的横向面积小于所述突出区域的横向面积；

去除所述开口内的所述第一层的一部分，以在所述第一层中形成所述凹陷；和

去除所述掩膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一层和所述结构化的掩膜在所述突出区域的边缘处提供突起。

6.一种制造半导体晶片的方法，所述方法包括：

在包括至少一个台面的衬底上沉积绝缘层，使得所述台面和所述衬底的上表面被所述绝缘层覆盖，所述台面包括用于晶体管器件的III族氮化物层的堆叠；

在所述绝缘层上形成结构化的掩膜，所述结构化的掩膜在所述台面之上具有开口，所述开口的横向面积小于所述台面的横向面积；

去除所述开口内的所述绝缘层的一部分，并且减小布置在所述台面之上的所述绝缘层的厚度；和

去除所述掩膜和所述绝缘层的部分以产生平坦化的表面，所述平坦化的表面包括所述台面的表面和所述绝缘层的表面。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：通过去除布置在所述衬底上的、包括III族氮化物层的堆叠的层的区域，来形成所述至少一个台面。

8.根据权利要求7所述的方法，其中去除所述包括III族氮化物层的堆叠的层的区域还包括：暴露所述衬底的表面。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述III族氮化物层的堆叠上施加停止层；

在所述停止层上施加牺牲层；

将具有开口的结构化的掩膜施加到牺牲层；和

去除所述开口中的所述牺牲层，以暴露所述停止层的分离区域。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：去除在未由所述牺牲层覆盖的区域中的所述停止层和所述III族氮化物层的堆叠的部分，以在所述衬底的表面上形成至少一个台面。

11.根据权利要求6所述的方法，其中去除所述掩膜并减小所述绝缘层的厚度包括：通过化学机械抛光逐渐去除所述绝缘层。

12.根据权利要求6所述的方法，其中去除所述开口内的所述绝缘层的一部分包括：在所述绝缘层覆盖所述台面的情况下，在所述绝缘层中形成凹陷。

13.根据权利要求6所述的方法，其中所述绝缘层和所述结构化的掩膜在所述台面的边缘之上提供突起。