[发明专利]具有金属化侧壁的裸片和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

裸片焊盘；

裸片，所述裸片具有裸片有源侧表面以及与所述裸片有源侧表面相对的裸片背侧表面，所述裸片包括；

侧壁，所述侧壁从所述裸片背侧表面延伸至所述裸片有源侧表面，所述侧壁具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分从所述裸片背侧表面延伸到所述第二部分，所述第二部分从所述第一部分延伸到所述第三部分，所述第三部分从所述第二部分延伸到所述裸片有源侧表面，所述第一部分包括从所述背侧表面延伸到所述第二部分的多个不同弯曲表面；以及

凸缘，所述凸缘从位于与所述裸片有源侧表面相邻的位置的所述侧壁延伸，所述凸缘包括所述侧壁的所述第二部分和所述第三部分；

连续金属层，所述连续金属层覆盖所述裸片背侧表面、所述侧壁的所述第一部分和所述第二部分；以及

胶水，所述胶水将所述裸片耦合至所述裸片焊盘，所述胶水接触所述连续金属层和所述裸片焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧壁的所述第二部分与所述侧壁的所述第三部分基本上垂直。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述侧壁的所述第三部分与所述裸片有源侧表面垂直。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述侧壁包括多个蚀刻表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述胶水接触覆盖了所述裸片背侧表面的所述连续金属层，并且覆盖所述第一部分的所述多个不同弯曲表面中的部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件进一步包括：所述裸片具有从所述裸片有源侧表面至所述第二部分的凸缘高度；以及所述裸片具有从所述裸片背侧表面至所述第二部分的背侧高度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述凸缘高度等于所述背侧高度。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述凸缘高度小于所述背侧高度。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在晶片的背侧表面中形成多个沟道，所述多个沟道中的每一个具有第一壁、第二壁和在所述第一壁和所述第二壁之间的底部，所述第一壁和所述第二壁均由多个不同弯曲表面形成；

金属化所述背侧表面和所述多个沟道，所述金属化包括在所述背侧表面、所述多个沟道中的每一个沟道的所述第一壁、所述第二壁和所述底部上形成连续金属层；

通过分离所述多个沟道中每个沟道的底部来形成多个分割的裸片，所述多个分割的裸片中的每一个具有裸片有源侧表面、与所述裸片有源侧表面相对的裸片背侧表面和从所述裸片背侧表面延伸至所述裸片有源侧表面的侧壁；以及

用胶水将所述分割的裸片耦合至裸片焊盘。

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法进一步包括：

穿过所述晶片超过一半来形成所述多个沟道。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述多个沟道包括：对所述晶片的背侧表面的部分进行掩蔽并且在所述晶片的背侧表面中蚀刻所述多个沟道。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述多个沟道包括：用机械刀片切割所述多个沟道。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所多个沟道包括：用激光将材料从所述晶片的背侧表面去除。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，分离所述多个沟道中的每一个沟道的所述底部包括：所述分割的裸片在所述裸片的所述侧壁的一部分上具有所述连续金属层。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述分割的裸片耦合至所述裸片焊盘包括：烧结与所述侧壁的具有所述连续金属层的部分相接触的粘结剂，所述连续金属层在所述分割的裸片的所述侧壁上。