[发明专利]有机发光显示装置以及制造有机发光显示装置的方法有效
申请号: | 201710755790.8 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN107799560B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 崔浩源;沈成斌;池文培 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;李彦丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 以及 制造 方法 | ||
本发明公开了具有能够防止由于上基板和下基本之间的对准公差而导致的开口率降低和漏光的改进结构的有机发光显示装置以及制造有机发光显示装置的方法。该有机发光显示装置包括:基板,其包括多个子像素;绝缘膜,其被布置在所述基板上并且包括多个凹部和多个平坦表面,每个凹部具有所选择的面积的底表面,每个平坦表面被定位为与多个凹部中的对应凹部相邻,使得包括凹部和平坦表面的对与多个子像素中的每个子像素相对应。第一电极被布置在多个子像素中的每个子像素中的每个凹部的底表面上。
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年8月31日提交的韩国专利申请第10-2016-0112244号的权益,其通过引用被合并到本文中,如同在本文中充分阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及有机发光显示装置,并且更具体地涉及具有能够防止由于上基板与下基板之间的对准公差而导致的开口率降低和漏光的改进结构的有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
近年来,随着信息时代的到来,提供视频图像和动态(active)网页的显示器领域迅速发展。相应地,已经开发了具有优异性能例如超薄设计、重量轻和功耗低的各种平板(flat)显示装置,并且这些平板显示装置已经迅速取代了常规的阴极射线管(CRT)。
当前的平板显示装置可以包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器(FED)和有机发光显示器(OLED)。
在上述之中,OLED被认为是有竞争力的方案(approach),因为其不需要单独的光源,并且可以是能够精确再现颜色的紧凑的装置设计。
OLED在子像素中包括为自发光元件的有机发光二极管,并且通过每个子像素的有机发光二极管的操作来显示图像。由于有机发光二极管是可用于照明装置和显示装置的自发光元件,所以有机发光二极管的发展近来在照明工业中引起了关注。此外,由于有机发光二极管不需要单独的光源单元,因此具有易于用于柔性显示装置或透明显示装置的优点。
有机发光二极管包括被布置在阳极和阴极之间的有机发光层。从阳极和阴极分别将空穴和电子注入到有机发光层中,并且在有机发光层上通过电子和空穴的结合形成电子空穴对(exciton)。当电子空穴对从激发态跃迁到基态时,从有机发光二极管发射光。
在下文中,将对常规的有机发光显示装置的结构及其问题进行描述。
图1是示出了常规的有机发光显示装置的有机发光二极管的剖视图,图2是示出了在应用图1的结构的常规的有机发光显示装置中以未对准方式形成堤的情况下有机发光二极管的构造的剖视图。
如图1所示,常规的有机发光显示装置被构造成使得第一基板10被分割成多个子像素区域并且在每个子像素中包括有机发光二极管。有机发光二极管包括第一电极11、被布置成与第一电极11的边缘区域部分交叠的堤坝12、被设置在第一电极11和堤坝12上的有机发光层13、以及被布置在有机发光层13上的第二电极14。
通常,第一电极11和堤坝12通过使用光掩模进行曝光和显影处理来形成。
然而,当发生用于形成堤坝12的掩模的未对准时,如图2所示,堤坝12可以被形成为使得其在一些位置不与第一电极11的边缘区域交叠。在这种情况下,在形成堤坝12之后通过沉积处理而非通过曝光掩模形成的有机发光层13可以被形成如下,应仅沉积在第一电极11的平坦上表面上的气化有机材料由于未对准也与为第一电极11的侧壁的暴露的侧向区域接触。在该位置处,其可以具有相对较小的厚度,或者会太薄以至于在电极11的侧壁上有很少材料或没有材料。有机发光层还可以具有在第一基板10上的一部分。在图2中以标记有字母“A”的虚线圆圈示出了该未对准区域的一个示例。当在形成有机发光层13之后进行第二电极14的沉积时,第二电极14可以与其上薄薄地形成机发光层13或不存在有机发光层13的第一电极11的侧壁或侧向区域接触,这会导致电气短路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的