[发明专利]一种改善3DNAND闪存SEG生长质量的方法

权利要求书

1.一种改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：

沉积衬底堆叠结构；

刻蚀衬底堆叠结构以形成沟道和衬底表面的硅槽；

对沟道和硅槽进行刻蚀后处理(Post Etch Treatment，PET)；

第一次清洗以去除硅槽界面处氧化物；

第二次清洗以去除硅槽界面处非晶硅；

硅外延生长。

2.如权利要求1所述的改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法，其特征在于，所述沉积衬底堆叠结构，具体为，提供衬底，在所述衬底表面形成多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；所述层间介质层为氧化物层，所述牺牲介质层为氮化硅层，从而形成NO堆叠结构(NO Stacks)。

3.如权利要求2所述的改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法，其特征在于，所述刻蚀衬底堆叠结构，具体为，采用各向异性的干法刻蚀工艺垂直向下刻蚀所述衬底堆叠结构以形成沟道，所述沟道通至所述衬底并形成一定深度的硅槽。

4.如权利要求1所述的改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法，其特征在于，所述刻蚀后处理为，采用氮气(N₂)、氮气(N₂)和一氧化碳(CO)的混合气体或氮气(N₂)和氢气(H₂)的混合气体对被刻蚀的硅槽区域进行吹扫。

5.如权利要求1所述的改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法，其特征在于，所述第一次清洗为采用采用稀氢氟酸(DHF)去除界面的氧化物。

6.如权利要求1所述的改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法，其特征在于，所述第二次清洗以去除硅槽界面处非晶硅为采用氢氧化铵(NH₄OH)进行处理。

7.如权利要求1所述的改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法，其特征在于，所述硅外延生长是在硅槽处新生硅衬底表面进行硅的外延生长形成硅外延层(SEG)。

8.一种3D NAND闪存，其由权利要求1-7任意一项所述的改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法制备得到。