[发明专利]一种长寿命化工反映结晶釜在审

专利信息
申请号: 201710751485.1 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN107376395A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 袁杰 申请(专利权)人: 华南理工大学云浮研究院
主分类号: B01D9/00 分类号: B01D9/00;B01J19/18
代理公司: 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)34126 代理人: 刘备
地址: 527300 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 寿命 化工 反映 结晶
【说明书】:

技术领域

发明涉及化工设备领域,具体是一种长寿命化工反映结晶釜。

背景技术

结晶釜是物料混合反应后,夹层内需冷冻水或冷媒水急剧降温的结晶设备,常规的结晶釜大多采用底部排料的方式,在结晶釜底部开设排料口,但这种排料方式会造成大量的原料滞留在釜体内,对釜体产生腐蚀、影响下次加工的产品质量,并且会对原料造成一定的浪费,有些原料在进行反应时需要提高温度,在进行冷却结晶时,通过夹层内的冷冻水、冷媒水进行降温,很容易造成温差过大,对釜体造成损坏。并且结晶釜在物料混合时需要使用电机进行搅拌,电机的控制多采用振荡器或者方波发生器结合开关元件来实现,虽然调节方便,但是容易存在一个问题,就是当电路中出现过电流情况时很容易使三极管、MOS管等开关元件烧毁。

发明内容

本发明的目的在于提供一种长寿命化工反映结晶釜,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种长寿命化工反映结晶釜,包括电机、电机控制器、密封箱和釜体,其特征在于,所述釜体位于密封箱内,密封箱顶部设有翻转门,所述釜体两侧分别设有转动轴和固定轴,转动轴和固定轴均与釜体为一体式结构,所述转动轴另一端转动安装在密封箱侧壁上,在固定轴另一端设有齿轮,齿轮与固定轴为一体铸造形成,所述釜体底面呈碗装,釜体主体呈上大下小的圆台状,在釜体顶部中央安装有电机,釜体上部的侧壁上安装有电机控制器,电机控制器与电机之间电连接,所述电机的输出端连接有伸入釜体内部的旋转杆,所述旋转杆上设有搅拌叶片,在釜体顶部还开设有物料入口,物料入口位于翻转门正下方;所述釜体前侧面中下部设有出料管,出料管与釜体连接处设有阀门,在出料管顶部设有控制开关,控制开关用于控制阀门的开关,在密封箱底面上设有自动翻转装置,所述自动翻转装置包括固定在密封箱底面上的液压缸,所述液压缸上设有水平方向的伸缩杆,所述伸缩杆前端安装有排齿板,所述排齿板上平面设有与齿轮相啮合的排齿,排齿板底部与密封箱底面滑动连接;在密封箱侧面外壁上设有交换箱,所述交换箱侧面设有进风口和出风口,在交换箱顶部设有与进风口相连接的进风管,所述进风管另一端从密封箱顶面伸入密封箱内部并连接有进风盘,在进风盘底部开设有多个通孔,在交换箱底部设有与出风口相连接的出风管,所述出风管另一端从密封箱底部伸入密封箱内部并连接有出风盘,在出风盘顶部开设有多个通孔,所述出风管上设有负压风机,在密封箱侧壁内嵌设有热交换管,在密封箱侧面上部和下部分别安装有与热交换管相连通的进水管和排水管;所述搅拌叶片由靠近釜体底部的圆弧段、圆弧段两侧的倾斜杆以及倾斜杆之间的水平杆组成,所述倾斜杆的倾斜角度与釜体侧壁的倾斜角度相同,电机控制器包括方波发生器、开关控制电路和过流保护电路,所述方波发生器包括芯片IC1、电位器RP1、电阻R1、电阻R3和电容C1,开关控制电路包括电阻R4和MOS管Q1,过流保护电路包括电阻R6、二极管D2、三极管V1和双向晶闸管Q2;所述电阻R1的一端连接电容C3、电阻R3、芯片IC1的引脚4、芯片IC1的引脚8和电源U1,电阻R1的另一端连接电位器RP1的一个固定端,电位器RP1的滑动端连接二极管D1的阳极和芯片IC1的引脚7,电位器RP1的另一个固定端连接电阻R3,电阻R3的另一端连接电容C1、二极管D1的阴极、芯片IC1的引脚2和芯片IC1的引脚6,电容C1的另一端连接电容C2、电容C3的另一端、电容C4、电阻R6、电阻R7、芯片IC1的引脚1和地,芯片IC1的引脚3连接电阻R4,电阻R4的另一端连接模式Q1的栅极,MOS管Q1的漏极连接二极管D3的阳极、电机M和双向晶闸管Q2的一个主电极,MOS管Q1的源极连接电阻R6的另一端、二极管D2的阳极和双向晶闸管Q2的另一个主电极,二极管D2的阴极连接电容C4的另一端和电阻R5,电阻R5的另一端连接三极管V1的基极,三极管V的发射极连接电阻R7的另一端和双向晶闸管Q1的控制极。

作为本发明进一步的方案:所述齿轮呈1/3圆盘状。

作为本发明进一步的方案:所述热交换管为螺旋管道。

作为本发明进一步的方案:所述芯片IC1的型号为NE555。

作为本发明进一步的方案:所述二极管D1的型号为IN4001。

作为本发明进一步的方案:所述三极管V1的型号为9013,MOS管Q1的型号为TM45N20。

作为本发明进一步的方案:所述双向晶闸管Q2的型号为KP20-8。

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