[发明专利]一种Nano-Fin栅结构的混合阳极二极管有效
| 申请号： | 201710749529.7 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107527952B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周琦;胡凯;张安邦;朱厉阳;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nano fin 结构 混合 阳极 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种Nano-Fin栅结构的混合阳极二极管，包括衬底(1)、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极(6)，所述异质结由GaN层(2)与GaN层(2)上方的AlGaN层(4)形成，所述栅极与异质结形成肖特基接触，所述源极和漏极(6)分别位于AlGaN层(4)上表面两侧，且源极与AlGaN层形成欧姆接触；所述漏极(6)与栅极之间的AlGaN层(4)上表面具有钝化层(7)；其特征在于：所述栅极为通过局部刻蚀AlGaN层形成Nano-Fins结构(9)后，在Nano-Fins结构(9)上淀积的与异质结形成肖特基接触的金属薄膜(8)，每一片Nano-Fin依次沿器件同时与水平方向和垂直方向垂直的第三维方向排列。
2.根据权利要求1所述的一种Nano-Fin栅结构的混合阳极二极管，其特征在于：所述金属薄膜(8)与源极欧姆短接。
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