[发明专利]半导体混合材料及其制备方法、薄膜晶体管以及电子装置

权利要求书

1.一种半导体混合材料，包括：无机半导体纳米粒子、有机半导体材料和室温离子液体，

其中，所述无机半导体纳米粒子和所述室温离子液体均匀地分散在所述有机半导体材料中。

2.根据权利要求1所述的半导体混合材料，其中，所述无机半导体纳米粒子包括单质半导体粒子和多元化合物半导体粒子中至少之一。

3.根据权利要求2所述的半导体混合材料，其中，所述单质半导体粒子包括硅和锗中至少之一；

所述多元化合物半导体粒子包括二氧化钛、硫化锌、砷化镓、氧化锡、氧化铟、锑化铟、磷化铟、硫化镉、碲化铋、氧化亚铜、镓铝砷、铟镓砷磷、磷砷化镓和硒铟化铜中至少之一。

4.根据权利要求3所述的半导体混合材料，其中，当所述无机半导体纳米粒子为二氧化钛纳米粒子时，所述二氧化钛纳米粒子的表面至少部分覆盖有银。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体混合材料，其中，所述有机半导体材料包括酞菁、三苯基胺、聚乙炔和聚芳环中至少之一。

6.根据权利要求5所述的半导体混合材料，其中，所述聚芳环包括聚苯、聚噻吩、聚苯胺和聚吡咯中至少之一。

7.根据权利要求6所述的半导体混合材料，其中，所述聚噻吩包括聚3-己基噻吩。

8.根据权利要求7所述的半导体混合材料，还包括偶联剂，其中，所述偶联剂包括聚全氟磺酸、硅烷偶联剂、乙二醇、聚乙烯醇和丙三醇中至少之一。

9.根据权利要求8所述的半导体混合材料，

其中，所述室温离子液体包括：1，3-二烃基咪唑四氟硼酸、1-烷基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐和1-烯丙基-3-甲基咪唑羧酸盐、1-甲基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、N，N-二烷基咪唑六氟磷酸盐、溴化N，N-二烷基咪唑六氟磷酸盐中至少之一。

10.一种薄膜晶体管，包括层叠设置的有机半导体层和有源层，其中，所述有源层的材料包括无机半导体纳米粒子、有机半导体材料和室温离子液体，所述无机半导体纳米粒子和所述室温离子液体均匀地分散在所述有机半导体材料中，所述有机半导体层的材料和所述有机半导体材料均为聚3-己基噻吩，所述有机半导体层和所述有源层通过π-π键连接。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，还包括源极和漏极，

其中，所述有机半导体层设置在所述有源层的背离所述源极和所述漏极的一侧。

12.一种电子装置，包括权利要求10或11所述的薄膜晶体管。

13.一种半导体混合材料的制备方法，包括将无机半导体纳米粒子和室温离子液体均匀地分散在有机半导体材料中。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其中，将所述无机半导体纳米粒子与偶联剂和所述室温离子液体混合、搅拌、离心分离以形成所述无机半导体纳米粒子外包覆有所述偶联剂和所述室温离子液体的复合结构。