[发明专利]一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法有效
申请号: | 201710743328.6 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN107910446B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 安涛;杨圣 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/56;C08L57/00;C08L65/00;C08L73/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 谈耀文 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 磁场 调控 有机 薄膜 分子 有序 化生 方法 | ||
1.一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,具体按以下步骤实施:
步骤1、根据有机材料选取光敏剂和有机溶剂,将有机材料和光敏剂溶于有机溶剂中形成均匀的混合液;
所述光敏剂的分子能级结构为S2>S1>T2>T1,所述光敏剂的吸收系数大于104cm-1,所述光敏剂的系间窜越速率常数大于106/s,S1与T2能隙小于20kJ/mol,三线态寿命为10-3s~10-4s;
步骤2、根据步骤1中的光敏剂选取激发光源和磁场;
步骤3、先将经步骤1得到的混合液倒入溶液槽中,然后将预先清洗干净的衬底夹持于提拉装置的夹具上,再设置激发光源和磁场的参数,在激发光源与磁场作用下,采用溶液提拉法使得有机薄膜分子生长。
2.如权利要求1所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述有机材料为噻吩类、聚对苯乙烯撑类衍生物、芳香胺类、稠环芳香化合物、C60衍生物、交替共聚物和聚合物、咔唑物、含咔唑基聚合物中的一种。
3.如权利要求1所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述激发光源的光子能量大于光敏剂激发态与基态的能级差,所述激发光源的光子能量的波长比吸收长波限的波长短20nm~50nm。
4.如权利要求1或3所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述激发光源为红外、紫外、可见光中的一种,所述激发光源的强度为恒定光源或交变光源。
5.如权利要求1所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述磁场为电磁磁场或永磁磁场,所述磁场形式为恒定磁场或交变磁场。
6.如权利要求1所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述磁场的参数包括磁场强度、磁场频率及强度梯度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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