[发明专利]一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法有效

专利信息
申请号: 201710743328.6 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN107910446B 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 安涛;杨圣 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/56;C08L57/00;C08L65/00;C08L73/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 谈耀文
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 磁场 调控 有机 薄膜 分子 有序 化生 方法
【权利要求书】:

1.一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,具体按以下步骤实施:

步骤1、根据有机材料选取光敏剂和有机溶剂,将有机材料和光敏剂溶于有机溶剂中形成均匀的混合液;

所述光敏剂的分子能级结构为S2>S1>T2>T1,所述光敏剂的吸收系数大于104cm-1,所述光敏剂的系间窜越速率常数大于106/s,S1与T2能隙小于20kJ/mol,三线态寿命为10-3s~10-4s;

步骤2、根据步骤1中的光敏剂选取激发光源和磁场;

步骤3、先将经步骤1得到的混合液倒入溶液槽中,然后将预先清洗干净的衬底夹持于提拉装置的夹具上,再设置激发光源和磁场的参数,在激发光源与磁场作用下,采用溶液提拉法使得有机薄膜分子生长。

2.如权利要求1所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述有机材料为噻吩类、聚对苯乙烯撑类衍生物、芳香胺类、稠环芳香化合物、C60衍生物、交替共聚物和聚合物、咔唑物、含咔唑基聚合物中的一种。

3.如权利要求1所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述激发光源的光子能量大于光敏剂激发态与基态的能级差,所述激发光源的光子能量的波长比吸收长波限的波长短20nm~50nm。

4.如权利要求1或3所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述激发光源为红外、紫外、可见光中的一种,所述激发光源的强度为恒定光源或交变光源。

5.如权利要求1所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述磁场为电磁磁场或永磁磁场,所述磁场形式为恒定磁场或交变磁场。

6.如权利要求1所述的一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法,其特征在于,所述磁场的参数包括磁场强度、磁场频率及强度梯度。

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