[发明专利]2D TMDs-导电聚合物复合材料、其制备方法和应用

说明书

本发明提供了一种2D TMDs‑导电聚合物复合材料，所述2D TMDs‑导电聚合物复合材料为插层复合材料，包括2D TMDs和导电聚合物，且所述导电聚合物嵌插在所述2D TMDs的片层之间。本发明提供的2D TMDs‑导电聚合物复合材料，通过在2D TMDs的片层之间嵌插导电聚合物获得，一方面，所述导电聚合物的嵌插增大了2D TMDs层间距，防止TMDs片层再次团聚的作用；一方面，分散的导电聚合物嵌插到柔性的2D TMDs片层间后，可以有效防止导电聚合物自身的团聚，从而实现2D TMDs和导电聚合物的更好分散和复合。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种2D TMDs-导电聚合物复合材料、其制备方法和应用。

背景技术

量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。但由于量子点材料的能级较深，电离势较大，导致现有的空穴传输层与量子点发光层之间仍存在较大的空穴注入势垒，进而导致阳极到发光层的空穴注入困难，再加上空穴注入效率相比电子注入效率普遍偏低，进一步引起QLED发光层中的载流子注入不平衡，从而严重限制了QLED器件的性能。

二维过渡金属硫属化物(2D TMDs，Two-dimensional transition metaldichalcogenide)包括MoS₂、WS₂、TaS₂、MoSe₂、WSe₂、TaSe₂等，因为其材料所具备的新颖的层状结构和独特的电学以及光学性质，已经引起了学术界广泛的关注。2D TMDs具有较高的载流子迁移率和良好的导电性，其表面存在孤立的电子对以及悬挂键(可以阻挡2D TMDs与其他化学物质反应)，而且2D TMDs可以根据纳米片的层数，调控其能带隙，使得2D TMDs材料在光电器件中的应用具有十分广阔的前景。但是在电致发光器件中，作为空穴注入材料时，2D TMDs在溶剂中分散性差，易发生团聚，且空穴注入能力还不令人满意，这都是目前需要解决的问题。如何充分利用层状2D TMDs的优异性能，继续提高其在QLED器件中的空穴注入能力，有效平衡发光层中的载流子，对于提高QLED器件的光学性能尤为关键，也是目前研究的一个重点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种2D TMDs-导电聚合物复合材料及其制备方法，旨在解决现有技术以2D TMDs作为空穴注入材料时易团聚，影响空穴注入能力的问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述2D TMDs-导电聚合物复合材料的QLED器件及其制备方法。

本发明是这样实现的，一种2D TMDs-导电聚合物复合材料，所述2D TMDs-导电聚合物复合材料为插层复合材料，包括2D TMDs和导电聚合物，且所述导电聚合物嵌插在所述2D TMDs的片层之间。

相应的，一种2D TMDs-导电聚合物复合材料的制备方法，包括以下步骤：

将2D TMDs和导电聚合物分散在有机溶剂中，形成分散液；

将所述分散液进行超声处理，制备得到2D TMDs-导电聚合物复合材料。

以及，一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层中含有上述的2D TMDs-导电聚合物复合材料。

相应的，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供阳极基板，在所述阳极基板上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，其中，所述空穴注入材料溶液中含有2D TMDs-导电聚合物复合材料；

在所述空穴注入层上依次制备量子点发光层和阴极；或