[发明专利]存储器控制器、数据芯片及其控制方法

说明书

公开一种存储器控制器、数据芯片及其控制方法。公开一种可污染数据的数据芯片，包括：数据阵列；读取电路，用于从数据阵列读取原数据；缓冲器，用于存储原数据。使数据污染引擎可用存储在屏蔽寄存器中的污染模式，污染原数据。然后传输电路可从缓冲器发送污染的数据。

本申请要求于2016年11月7日提交的第62/418,779号美国临时专利申请和于2017年1月19日提交的第15/410,752号美国专利申请的权益，所述申请出于所有目的通过引用包含于此。

技术领域

本发明构思总体涉及存储器，更具体地讲，涉及在不增加存储器模块中的数据芯片的数量的情况下提供纠错能力。

背景技术

在未来，存储器模块可需要动态随机存取存储器(DRAM)中的纠错。与窄通道的使用相结合，纠错所需的开销可能正在增加。例如，从宽通道到窄通道的转变可使纠错开销加倍。满足存储器的可靠性、可用性和可服务性(RAS)要求可变得昂贵。但是完全放弃纠错能力可降低存储器模块的可用性。

仍然需要在不增加纠错的开销需要的情况下提供存储器模块中的纠错能力的方法。

发明内容

根据本公开的方面，提供一种数据芯片，包括：数据阵列；读取电路，用于从数据阵列读取原数据；缓冲器，用于存储由读取电路从数据阵列读取的原数据；屏蔽寄存器，用于存储污染模式；数据污染引擎，用于使用存储在屏蔽寄存器中的污染模式修改存储在缓冲器中的原数据，以产生污染的数据；传输电路，从缓冲器发送污染的数据。

根据本公开的另一方面，提供一种存储器控制器，包括：读取电路，用于请求在存储在多个数据芯片中的地址的值；奇偶校验电路，用于计算来自从所述多个数据芯片接收的原始数据的奇偶校验；污染模式分析电路，用于将奇偶校验与编程到所述多个数据芯片中的多个污染模式进行比较，以识别具有错误的数据芯片；纠错电路，用于纠正从识别的具有错误的数据芯片接收的原始数据中的错误。

根据本公开的另一方面，提供一种控制数据芯片的方法，包括：在数据芯片接收针对在地址的值的请求；在数据芯片的缓冲器中缓冲原数据，原数据包括在所述地址的值；确定缓冲器中的原数据是否具有错误；如果缓冲器中的原数据具有错误：使用污染模式污染缓冲器中的原数据，以产生污染的数据；将缓冲器中的污染的数据发送到存储器控制器。

附图说明

图1示出根据本发明构思的实施例的具有存储器和存储器控制器的机器。

图2示出图1的机器的额外细节。

图3示出图1的存储器中的存储器芯片的细节。

图4示出图3的XOR电路的示例实现。

图5示出可如何污染图3的数据芯片中的数据。

图6示出图3的数据芯片中的存储污染模式的屏蔽寄存器。

图7示出图1的存储器控制器的细节。

图8示出图1的存储器控制器对来自图1的存储器中的数据芯片的数据执行奇偶校验计算。

图9示出图7的污染模式分析电路的操作。

图10示出图1的存储器控制器从数据去除污染模式，其中，该数据是从数据芯片接收的。

图11示出图7的奇偶校验电路针对数据具有污染模式的数据芯片计算数据。

图12A至图12B示出根据本发明构思的实施例的图1的存储器模块中的数据芯片污染数据的示例过程的流程图。

图13示出根据本发明构思的实施例的使用污染模式编程图1的存储器模块中的数据芯片的示例过程的流程图。

图14示出根据本发明构思的实施例的图1的存储器模块中的数据芯片将原始数据发送到图1的存储器控制器的示例过程的流程图。