[发明专利]一种具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201710742257.8 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN107369663A 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 崔成强;杨斌;赖韬;张昱 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 罗满
地址: 510062 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 具备 正面 扇出型 封装 结构 芯片 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片,其特征在于,包括散热基板,所述散热基板的正面开设有至少一个芯片槽,所述芯片槽中粘接有芯片本体,所述芯片本体的正面和侧面、所述散热基板的正面均覆盖有介电层,所述芯片本体的正面连接有铜凸点,所述铜凸点利用经过所述介电层的正面的金属线路连接至位于所述散热基板正面的金属球,所述金属线路的正面除了所述金属球的位置之外均设置有保护层。

2.根据权利要求1所述的具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片,其特征在于,所述散热基板为铜基板或陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片,其特征在于,所述芯片本体利用Die-Attach胶与所述芯片槽粘接。

4.根据权利要求1所述的具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片,其特征在于,所述散热基板的厚度范围为0.5毫米至5.0毫米。

5.根据权利要求1所述的具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片,其特征在于,所述介电层为ABF层、BCB层或PI层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片,其特征在于,所述金属线路为铜线或银线。

7.一种具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片的制作方法,其特征在于,包括:

在散热基板的正面开设至少一个芯片槽;

所述芯片槽中粘接芯片本体,在所述芯片本体的正面植入铜凸点;

所述芯片本体的正面和侧面、所述散热基板的正面均覆盖介电层;

在所述介电层表面制作金属种子层,并电镀金属线路;

在所述金属线路需要保护的部分覆盖光阻膜,刻蚀掉不需要保护的区域的金属线路和金属种子层,并去除所述光阻膜;

在所述金属线路的正面设置保护层,在所述散热基板的正面预留出植球区域,并在所述植球区域植入金属球,所述铜凸点利用经过所述介电层的正面的金属线路连接至位于所述散热基板正面的金属球;

去除多余的介电层,切割出单个芯片。

8.根据权利要求7所述的具备正面凸点的扇出型封装结构的芯片的制作方法,其特征在于,所述在散热基板的正面开设至少一个芯片槽为:

在铜基板或陶瓷基板的正面开设至少一个芯片槽。

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