[发明专利]显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：

设置在衬底基板上的多条栅极走线；

所述多条栅极走线远离所述衬底基板的一侧设置有包括多个驱动薄膜晶体管的膜层结构；

所述膜层结构远离所述衬底基板的一侧设置有多条导电走线；

其中，每条栅极走线在所述衬底基板上的正投影与对应的一条导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠，且每条导电走线上传输的信号与对应的一条栅极走线上传输的信号互补。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：多个反相器；

每个所述反相器的输入端与一条栅极走线连接，每个所述反相器的输出端与一条导电走线连接；

与同一个反相器连接的栅极走线和导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

每条栅极走线在所述衬底基板上的正投影与对应的一条导电走线在所述衬底基板上的正投影重合。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，每个所述反相器，包括：N型晶体管和P型晶体管；

所述N型晶体管的栅极和所述P型晶体管的栅极与一条栅极走线连接，所述N型晶体管的第二极和所述P型晶体管的第二极与一条导电走线连接；

所述P型晶体管的第一极与第一电源线连接，所述N型晶体管的第一极与第二电源线连接；

其中，所述第一电源线提供第一电位的第一电源信号，所述第二电源线提供第二电位的第二电源信号，所述第一电位相对于所述第二电位为高电位。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，

所述N型晶体管和所述P型晶体管均为薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，每个所述反相器包括：

依次设置在所述衬底基板上的栅极图层、栅绝缘层、有源层和源漏图层，所述栅极图层为所述N型晶体管和所述P型晶体管的栅极；

所述有源层包括间隔设置的N型半导体图案和P型半导体图案，所述源漏图层包括间隔设置的第一源极图案、第二源极图案和漏极图案，所述第一源极图案为所述N型晶体管的第一极，所述第二源极图案为所述P型晶体管的第一极，所述漏极图案为所述N型晶体管和所述P型晶体管的第二极；

所述栅极图层与一条栅极走线电连接，所述第一源极图案与所述第二电源线电连接，所述第二源极图案与所述第一电源线电连接，所述漏极图案与一条导电走线电连接；

其中，所述第一源极图案与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述第二源极图案与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述漏极图案在所述衬底基板上的正投影与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，且与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述栅极图层在所述衬底基板上的正投影与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，且与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠。

7.根据权利要求2至6任一所述的显示基板，其特征在于，

每个所述反相器设置在栅极走线与栅极驱动电路连接的一端。

8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在衬底基板上形成多条栅极走线；

在形成有所述多条栅极走线的衬底基板上形成包括多个驱动薄膜晶体管的膜层结构；

在形成有所述膜层结构的衬底基板上形成多条导电走线；

其中，每条栅极走线在所述衬底基板上的正投影与对应的一条导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠，且每条导电走线上传输的信号与对应的一条栅极走线上传输的信号互补。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述衬底基板上形成多个反相器；

其中，每个所述反相器的输入端与一条栅极走线连接，每个所述反相器的输出端与一条导电走线连接；与同一个反相器连接的栅极走线和导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠。