[发明专利]非易失性存储器设备

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；

连接到所述接地选择晶体管的接地选择线和连接到所述多个非易失性存储器单元的多条字线；

电压生成器，被配置为生成施加到所述多条字线的编程验证电压和读取电压，其中，施加到所述多条字线的编程验证电压在参考温度下在所述多条字线上是等效的并且施加到所述多条字线的读取电压在所述参考温度下在所述多条字线上是等效的；和

控制电路，被配置为基于编程验证温度偏移来控制对所述编程验证电压的补偿，以及然后基于读取温度偏移来控制对所述读取电压的补偿，

其中，当当前温度大于所述参考温度时，所述编程验证温度偏移为正，而当当前温度小于所述参考温度时，所述编程验证温度偏移为负，

其中，当当前温度大于所述参考温度时，所述读取温度偏移为正，而当当前温度小于所述参考温度时，所述读取温度偏移为负，

其中，对于所述编程验证电压的补偿和对于所述读取电压的补偿是相互对应地进行的，以便消除由于在所述读取温度偏移和所述编程验证温度偏移之间的差异引起的偏差，

其中，所述多条字线被划分为包括两条或更多条字线的多个字线组，并且

所述控制电路根据在所述多个字线组中的每一个中的一条字线与所述接地选择线之间的距离和操作温度在所述多个字线组当中的相应字线组中设置编程验证温度偏移和读取温度偏移。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中：

当在所述多个字线组中的每一个中的一条字线与所述接地选择线之间的距离增大时，所述编程验证温度偏移或所述读取温度偏移的绝对值顺序地增大。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中：

所述编程验证温度偏移对应于所述读取温度偏移。

4.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中：

当所述操作温度降低时，所述编程验证温度偏移或所述读取温度偏移在负方向进一步增大。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中：

所述控制电路基于后向图案补偿偏移控制对于所述读取电压的补偿，并且

当在所述多个字线组中的每一个中的一条字线与所述接地选择线之间的距离增大时，所述后向图案补偿偏移的大小顺序地减小。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中：

所述控制电路基于后向图案补偿偏移控制对于所述编程验证电压的补偿，并且

当在所述多个字线组中的每一个中的一条字线与所述接地选择线之间的距离增大时，所述后向图案补偿偏移的大小顺序地减小。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中：

所述存储器单元阵列包括单级单元和多级单元，并且

对应于所述单级单元的编程验证温度偏移或读取温度偏移不同于对应于所述多级单元的编程验证温度偏移或读取温度偏移。