[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710739994.2 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109427932B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 谢春林;项博媛 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 谭果林 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的制造方法，所述方法包括：提供一蓝宝石衬底(1)，并在所述蓝宝石衬底(1)上依次生长GaN本征层(2)、GaN n型层(3)、发光层(4)和GaNp型层(5)，其特征在于：
在所述蓝宝石衬底(1)和所述GaN n型层(3)之间生长应力调整层(6)，其中，所述应力调整层(6)的晶格常数介于蓝宝石和GaN之间，所述应力调整层(6)为GaN/SiC超晶格，所述应力调整层(6)的周期数为30～50，周期厚度为2～5nm，在所述应力调整层(6)的生长过程中，温度范围为1200～1300℃，压强为200～600mbar，
在所述GaN n型层(3)和所述发光层(4)之间生长AlGaN/GaN超晶格反射层(7)，或者，在所述GaN本征层(2)和所述GaN n型层(3)之间生长AlGaN/GaN超晶格反射层(7)，所述AlGaN/GaN超晶格反射层(7)的周期厚度为2～5nm，AlGaN的Al含量为10～30％。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述蓝宝石衬底(1)和所述GaN n型层(3)之间生长应力调整层(6)的步骤包括：
在所述蓝宝石衬底(1)和所述GaN本征层(2)之间生长所述应力调整层(6)。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述蓝宝石衬底(1)和所述GaN n型层(3)之间生长应力调整层(6)的步骤包括：
在所述GaN本征层(2)和所述GaN n型层(3)之间生长所述应力调整层(6)。
4.一种发光二极管外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底(1)以及依次生长在所述蓝宝石衬底(1)上的GaN本征层(2)、GaN n型层(3)、发光层(4)、GaNp型层(5)，其特征在于，所述外延片还包括生长在所述蓝宝石衬底(1)和所述GaN n型层(3)之间的应力调整层(6)，其中，所述应力调整层(6)的晶格常数介于蓝宝石和GaN之间，所述应力调整层(6)为GaN/SiC超晶格，所述应力调整层(6)的周期数为30～50，周期厚度为2～5nm，在所述应力调整层(6)的生长过程中，温度范围为1200～1300℃，压强为200～600mbar，
所述外延片还包括：
AlGaN/GaN超晶格反射层(7)，生长在所述GaN n型层(3)和所述发光层(4)之间，或者，生长在所述GaN本征层(2)和所述GaN n型层(3)之间，所述AlGaN/GaN超晶格反射层(7)的周期厚度为2～5nm，AlGaN的Al含量为10～30％。
5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述应力调整层(6)生长在所述蓝宝石衬底(1)和所述GaN本征层(2)之间。
6.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述应力调整层(6)生长在所述GaN本征层(2)和所述GaN n型层(3)之间。
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