[发明专利]一种频率可选择的低功耗振荡器电路有效
| 申请号: | 201710739805.1 | 申请日: | 2017-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN107612545B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 来新泉;王峰;叶强;赵竞翔;王梓懿 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099;H03L7/14 |
| 代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;侯琼 |
| 地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 频率 可选择 功耗 振荡器 电路 | ||
1.一种频率可选择低功耗振荡器电路,包括:频率选择单元(1)、偏置电流单元(2)、振荡单元(3);
频率选择单元(1)用来产生频率选择信号F_sel,其设有三个输入端,第一输入端连接使能信号EN,第二输入端连接频率控制信号FREQ,第三输入端连接偏置电流Ibias1,输出端输出频率选择信号F_sel至偏置电流单元(2);所述频率选择单元(1)包括第一NMOS管N12、第二NMOS管N13、第三NMOS管N11、第四NMOS管N14、第一电阻R、第一非门INV11和第二非门INV12,其中:所述第一NMOS管N12与所述第二NMOS管N13组成电流镜,其源极共同接至GND,其栅极相连并连接至第一NMOS管N12漏极;第二NMOS管N13漏极经过所述第一电阻R连接频率控制信号FREQ;所述第三NMOS管N11漏极与第一NMOS管N12漏极相连并共同连接至偏置电流Ibias1,源极连接至GND,栅极连接使能信号EN;所述第一非门INV11输入连接至第二NMOS管N13漏极,输出经过所述第二非门INV12输出频率选择信号F_sel;所述第四NMOS管N14漏极连接至第一非门INV11输出,源极接GND,栅极接频率选择信号F_sel;
偏置电流单元(2)用来产生电容充电电流I1、I2,其设有两个输入端和两个输出端,第一输入端连接频率选择信号F_sel,第二输入端连接偏置电流Ibias2;第一输出端输出充电电流I1,第二输出端输出充电电流I2,为振荡单元(3)提供充电电流;
振荡单元(3)用来产生平稳的OSC振荡信号,其设有四个输入端,第一输入端连接充电电流I1,第二输入端连接充电电流I2,第三输入端连接偏置电压Vbias1,第四输入端连接偏置电压Vbias2,其输出端输出稳定的OSC振荡信号。
2.根据权利要求1所述的频率可选择低功耗振荡器电路,其特征在于:所述偏置电流单元(2)包括第一PMOS管P21~第六PMOS管P26、第五NMOS管N21~第十NMOS管N26、第十一NMOS管N27和第十二NMOS管N28,其中:
所述第一PMOS管P21~第六PMOS管P26共同构成电流镜,其中第一PMOS 管P21、第三PMOS管P23、第五PMOS管P25源极共同接VDD,栅极相连并连接至第二PMOS管P22漏极,第一PMOS管P21漏极接第二PMOS管P22源极,第三PMOS管P23漏极接第四PMOS管P24源极,第五PMOS管P25漏极接第六PMOS管P26源极,第四PMOS管P24漏极接充电电流I1,第六PMOS管P26漏极接充电电流I2;
所述第五NMOS管N21~第十NMOS管N26共同构成电流镜,其中第五NMOS管N21、第七NMOS管N23、第九NMOS管N25栅极相连,第五NMOS管N21漏极接偏置电流Ibias2,源极接第六NMOS管N22漏极;第七NMOS管N23漏极与第九NMOS管N25漏极相连并连接至第二PMOS管P22漏极,第七NMOS管N23源极接第八NMOS管N24漏极;第九NMOS管N25源极接第十NMOS管N26漏极;第六NMOS管N22栅极与第八NMOS管N24栅极相连并连接至第五NMOS管N21漏极;第六NMOS管N22、第八NMOS管N24、第十NMOS管N26源极共同接GND;
所述第十一NMOS管N27漏极连接至第八NMOS管N24栅极,源极连接至第十NMOS管N26栅极,栅极接频率选择信号F_sel;
所述第十二NMOS管N28漏极连接第十NMOS管N26栅极,源极接GND,栅极接频率选择信号F_sel的反相信号XF_sel。
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