[发明专利]一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头有效
申请号: | 201710736191.1 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN109427527B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 杨金全;徐朝阳;雷仲礼 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 周荣芳 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 刻蚀 设备 用于 喷头 | ||
1.一种用于等离子体刻蚀设备的喷头,其设置在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部,其特征在于,包含:
喷头本体;
设置在喷头本体上的多个气孔,其内形成有台阶,台阶上方气孔具有第一内壁,台阶下方气孔具有第二内壁;
设置在气孔内且与气孔形状匹配的塞子,其内设置有通孔,所述通孔的直径小于1mm;
设置在喷头本体表面及气孔第一、第二内壁上的第一保护涂层,及,
设置在喷头本体下部表面及气孔第二内壁的第一保护涂层上的第二保护涂层;
所述塞子与气孔第一内壁之间设置有间隙,用于防止高温时塞子膨胀破裂;
所述塞子的材质为具有防刻蚀气体及等离子体腐蚀的材料;
所述塞子的下端具有向内的倾角,且塞子的底面高于所述喷头本体下部表面,用于防止插入塞子时破坏所述第二保护涂层;
所述台阶上设置有胶水,用于固定塞子。
2.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头,其特征在于,所述喷头本体的材质为铝、硅和碳化硅中的一种。
3.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头,其特征在于,所述气孔由直径不同的上部圆柱形和下部圆柱形组成,所述上部圆柱形和下部圆柱形之间形成台阶。
4.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头,其特征在于,所述塞子的材质为聚酰亚胺和陶瓷中的一种。
5.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头,其特征在于,所述倾角为1-3°。
6.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头,其特征在于,所述通孔的直径为0.4-0.6mm。
7.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头,其特征在于,所述第一保护涂层为Al2O3涂层。
8.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头,其特征在于,所述第二保护涂层为Y2O3涂层。
9.一种等离子体刻蚀设备,其特征在于,在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部设置有权利要求1-8中任意一项所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710736191.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:离子束照射装置
- 下一篇:一种铝坡莫合金夹心板及应用其制备的等离子体处理装置