[发明专利]动态随机存取存储器的埋入式字符线及其制作方法

权利要求书

1.一种制作动态随机存取存储器的埋入式字符线的方法，包含：

形成一凹槽于一基底内；

形成一第一导电层于该凹槽内；

形成一第二导电层于该第一导电层上，其中设于该基底上方的该第二导电层以及设于该基底的上表面的下方的该第二导电层具有不同厚度；以及

形成一第三导电层于该基底上方的该第二导电层上以及该凹槽内的该第二导电层上并填满该凹槽。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

在形成该第三导电层之后，进行一热处理制作工艺；以及

进行一平坦化制作工艺去除部分该第三导电层、部分该第二导电层以及部分该第一导电层以形成一栅极结构。

3.如权利要求1所述的方法，另包含进行一物理气相沉积制作工艺以形成该第二导电层。

4.如权利要求1所述的方法，其中设于该基底上表面的该第二导电层包含一第一厚度，以及设于该凹槽内的该第一导电层上表面的该第二导电层包含一第二厚度。

5.如权利要求4所述的方法，其中该第一厚度不同于该第二厚度。

6.如权利要求4所述的方法，其中该第二厚度小于该第一厚度。

7.如权利要求4所述的方法，其中设于该凹槽内的该第一导电层侧壁的该第二导电层包含一第三厚度。

8.如权利要求7所述的方法，其中该第三厚度小于该第二厚度。

9.如权利要求1所述的方法，其中该第一导电层包含氮化钛。

10.如权利要求1所述的方法，其中该第二导电层包含钛。

11.如权利要求1所述的方法，其中该第三导电层包含钴。

12.一种动态随机存取存储器的埋入式字符线，包含：

栅极结构，埋设于一基底内，其中该栅极结构包含：

第一导电层，设于该基底内；

第二导电层，设于该第一导电层上，其中该第二导电层包含一水平部以及两个垂直部且该水平部及该两个垂直部的其中一者具有不同厚度，且该水平部以及该两个垂直部构成U型；以及

第三导电层，设于该第二导电层上。

13.如权利要求12所述的埋入式字符线，其中该第一导电层为U型。

14.如权利要求12所述的埋入式字符线，其中该第一导电层包含氮化钛。

15.如权利要求12所述的埋入式字符线，其中该第二导电层包含钛。

16.如权利要求12所述的埋入式字符线，其中该第三导电层包含钴。

17.一种动态随机存取存储器的埋入式字符线，包含：

栅极结构，埋设于一基底内，其中该栅极结构包含：

第一导电层，设于该基底内；

第二导电层，设于该第一导电层上，其中该第二导电层为一字型；以及

第三导电层，设于该第二导电层上，该第三导电层顶部切齐该第一导电层以及该基底顶部。

18.如权利要求17所述的埋入式字符线，其中该第一导电层为U型。

19.如权利要求17所述的埋入式字符线，其中该第一导电层包含氮化钛且该第二导电层包含钛。

20.如权利要求17所述的埋入式字符线，其中该第三导电层包含钴。