[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结电致发光器件及制备方法在审
| 申请号： | 201710733302.3 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107611230A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 徐骏;刘婧婧;李东珂;季阳;吴仰晴;林泽文;陈坤基 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/26;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 硅异质结 电致发光 器件 制备 方法 | ||
1.钙钛矿/硅异质结电致发光器件，其特征是所述钙钛矿电致发光器件的结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层-电子阻挡层、发光层、电子传输-空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层-电子阻挡层为Si基材料，包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅，包括这些但不限于此；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合(X＝Cl，Br，I)，所使用的代表材料的分子式为CsPbCl3，CsPbBr3，CsPbI3，CsPbBr3-xIx，CsPbBr3-xClx。
2.钙钛矿/硅异质结电致发光器件，其特征是电致发光器件典型的构成：阳极Al，空穴传输层-电子阻挡层p-Si，发光层CsPbX3，电子传输层-空穴阻挡层ZnO，阴极ITO。
3.钙钛矿/硅异质结电致发光器件，其特征是发光层CsPbX3在Si衬底正面旋涂钙钛矿量子点获得厚度范围30nm-150nm；磁控溅射ZnO薄膜厚度范围30nm-100nm；磁控溅射ITO薄膜厚度范围150nm-400nm。
4.钙钛矿/硅异质结电致发光器件的制备方法，其特征是：
1)清洗干净的p-Si或p-Si+SiO2作为空穴传输-电子阻挡以及衬底；
2)利用PECVD或者磁控溅射方法在p-Si或p-Si+SiO2上分别生长SiO2、SiN、SiC硅基材料(包括这些但不限于这些硅基材料)。
3)Si衬底的背面热蒸发Al薄膜作为阳极；
4)合金化Al薄膜，在管式炉N2保护气氛中400±30℃保温30±5min；
5)在Si衬底正面旋涂钙钛矿量子点，浓度5mg/ml-10mg/ml；
6)钙钛矿量子点放入烘箱中60±10℃、3±1min干燥；
7)磁控溅射ZnO薄膜厚度范围30nm-100nm；
8)磁控溅射ITO薄膜厚度范围150nm-400nm。
5.根据权利要求4所述的钙钛矿/硅异质结电致发光器件的制备方法，其特征是CsPbBr3量子点制备成绿光发光层，CsPbI3量子点制备成红光发光层。
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