[发明专利]一种生成PIP电容的工艺方法及PIP电容在审
| 申请号： | 201710733270.7 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107611117A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杜在凯;周文斌;张磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 郎志涛 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生成 pip 电容 工艺 方法 | ||
1.一种生成PIP电容的工艺方法，其特征在于：包括下述步骤：
步骤1：在衬底上沉积第一层多晶硅；
步骤2：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第一层多晶硅，形成第一多晶硅层；
步骤3：在第一多晶硅层表面沉积第二层多晶硅；
步骤4：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第二层多晶硅，在第一多晶硅层上方形成若干个彼此分立的第二多晶硅层；所述第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层共同作为电容下极板区域；
步骤5：在第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层表面沉积氧化硅层和氮化硅层形成的电容介电质层；
步骤6：在电容介电质层沉积第三层多晶硅；
步骤7：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第三层多晶硅，形成电容上极板区域。
2.根据权利要求1所述的生成PIP电容的工艺方法，其特征在于：所述衬底材料为Si。
3.根据权利要求1所述的生成PIP电容的工艺方法，其特征在于：所述步骤1中沉积第一层多晶硅厚度为1000A-2000A。
4.根据权利要求1所述的生成PIP电容的工艺方法，其特征在于，所述步骤3中沉积第二层多晶硅厚度为300A-500A。
5.根据权利要求1所述的生成PIP电容的工艺方法，其特征在于，所述步骤5中沉积氧化硅厚度为50A-100A，沉积氮化硅厚度为100A-200A。
6.根据权利要求1所述的生成PIP电容的工艺方法，其特征在于，所述步骤6中沉积第三层多晶硅厚度为1200-2000A。
7.一种PIP电容结构，包括电容下极板区域、电容介电质层、电容上极板区域；其特征在于，所述电容下极板区域包括第一多晶硅层，以及形成于所述第一多晶硅层上方且彼此分立的若干个第二多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的PIP电容结构，其特征在于，所述第一多晶硅层厚度为1000A-2000A。
9.根据权利要求7所述的PIP电容结构，其特征在于，所述第二层多晶硅层厚度为300A-500A。
10.根据权利要求7所述的PIP电容结构，其特征在于，所述电容上极板区域为多晶硅层，该多晶硅层的厚度为1200-2000A。
11.根据权利要求7所述的PIP电容结构，其特征在于，所述电容介电质层包括氧化硅层和氮化硅层。
12.根据权利要求11所述的PIP电容结构，其特征在于，所述氧化硅层厚度为50A-100A，氮化硅层厚度为100A-200A。
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