[发明专利]金属‑氧化物沟道半导体场效应晶体管的外延层结构

权利要求书

1.金属-氧化物沟道半导体场效应晶体管的外延层结构，其特征在于，所述外延层结构的掺杂浓度先逐渐增大然后再逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管设置有栅极、衬底和沟道，沿所述衬底指向所述栅极的方向定义为延伸方向，所述外延层结构的掺杂浓度沿所述延伸方向先逐渐增大然后再逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的外延层结构，其特征在于，所述外延层结构沿所述延伸方向包括第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述第一外延层和所述第三外延层的掺杂浓度均小于所述第二外延层的掺杂浓度的最大值。

4.根据权利要求3所述的外延层结构，其特征在于，沿所述延伸方向，所述第二外延层包括多个子层且多个所述子层的掺杂浓度不同，所述第一外延层是均匀分布的，第三外延层的掺杂浓度是均匀分布的，具有最高掺杂浓度的所述子层位于所述第二外延层的上半部分且所述最高掺杂浓度大于所述第一外延层和所述第三外延层的掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的外延层结构，其特征在于，沿所述延伸方向，多个所述子层的掺杂浓度按照如下方式分布：

-先逐渐增大然后再逐渐减小；

-逐渐增大至所述最高掺杂浓度然后再均匀分布；

-先逐渐增大至所述最高掺杂浓度然后再均匀分布，最后再逐渐减小。

6.根据权利要求4或5所述的外延层结构，其特征在于，沿所述延伸方向，所述第一外延层的上表面低于所述沟道的底部，所述沟道的底部位于所述第二外延层的下半部分，所述第三外延层的下表面高于所述栅极的底部。

7.根据权利要求3所述的外延层结构，其特征在于，沿所述延伸方向，所述第二外延层包括多个子层且多个所述子层的掺杂浓度不同，所述第一外延层是均匀分布的，所述第三外延层的掺杂浓度逐渐减小，具有最高掺杂浓度的所述子层位于所述第二外延层的上半部分，所述最高掺杂浓度大于所述第一外延层，所述最高掺杂浓度大于或等于所述第三外延层下表面的掺杂浓度，所述第三外延层的掺杂浓度逐渐减小。

8.根据权利要求7所述的外延层结构，其特征在于，沿所述延伸方向，多个所述子层的掺杂浓度按照如下方式分布：

-逐渐增大；

-逐渐增大至所述最高掺杂浓度然后再均匀分布。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的外延层结构，其特征在于，沿所述延伸方向，所述第一外延层的上表面低于所述沟道的底部，所述沟道的底部位于所述第二外延层的下半部分，所述第三外延层的下表面低于所述栅极的底部。

10.根据权利要求3所述的外延层结构，其特征在于，沿所述延伸方向，所述第二外延层下表面的掺杂浓度大于所述第一外延层上表面的参杂浓度，所述第二外延层上表面的掺杂浓度大于所述第三外延层下表面的掺杂浓度，所述第一外延层是均匀分布的，第三外延层的掺杂浓度是均匀分布的。

11.根据权利要求10所述的外延层结构，其特征在于，沿所述延伸方向，所述第二外延层的掺杂浓度是均匀分布的或者是逐渐增大的。

12.根据权利要求10所述的外延层结构，其特征在于，所述第一外延层的掺杂浓度小于所述第三外延层的掺杂浓度。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的外延层结构，其特征在于，沿所述延伸方向，所述第一外延层的上表面高于所述沟道的底部，所述沟道的底部位于所述第一外延层内，所述第三外延层的下表面低于所述栅极的底部。