[发明专利]一种二次镀银高导电填料的制备方法

权利要求书

1.一种二次镀银高导电填料的制备方法，其特征在于所述方法包括：

1)将基体在去离子水中超声波分散，先后分别加入单宁酸和三氯化铁溶液，搅拌均匀，得到表面沉积有聚单宁酸-三氯化铁的基体；

所述单宁酸与三氯化铁的摩尔比为1:3～3:1；

2)将表面沉积有聚单宁酸-三氯化铁的基体加入至去离子水中，加入硝酸银溶液和乙二醇，用辛胺进行还原，得到第一次镀银后表面有银纳米粒子的基体；硝酸银溶液的浓度1-12g/L；

总反应时间不超过1h；

3)硝酸银溶液用氨水滴定至沉淀刚好消失时，配制得到银镀液；

4)将步骤3)中制备的表面有银纳米粒子的基体置于步骤3)制备的银镀液中，并加入分散剂聚乙烯吡咯烷酮搅拌，分散剂的用量为硝酸银的0.05～2.0倍；

5)在搅拌的条件下向步骤4)的溶液中加入还原剂溶液，室温下反应1～60分钟，得到表面覆盖有银层的基体；

所述还原剂为葡萄糖、柠檬酸钠或硼氢化钠；

还原剂用量为硝酸银的1～3倍。

2.如权利要求1所述的二次镀银高导电填料的制备方法，其特征在于：

步骤1)中，单宁酸的浓度为0.2～6.0g/L；三氯化铁溶液的浓度为0.04～4.0g/L；加入单宁酸和三氯化铁溶液后，加入Tris缓冲液调节pH为6～10。

3.如权利要求2所述的二次镀银高导电填料的制备方法，其特征在于：

步骤2)中，乙二醇与硝酸银的质量比为100:1～50:1，辛胺与硝酸银的质量比为0.5:1～3:1；搅拌速率为30～100转/min。

4.如权利要求1所述的二次镀银高导电填料制备方法，其特征在于：

步骤3)中，硝酸银溶液的浓度为5～40g/L。

5.如权利要求1所述的二次镀银高导电填料的制备方法，其特征在于：

步骤4)中，搅拌时间不低于20分钟。

6.如权利要求1所述的二次镀银高导电填料的制备方法，其特征在于：

步骤5)中，还原剂溶液的浓度为5～80g/L；

还原剂溶液的浓度为步骤3)中硝酸银浓度的1～3倍。

7.如权利要求1所述的二次镀银高导电填料的制备方法，其特征在于：所述基体为氧化石墨烯。