[发明专利]一种基准电压源在审
申请号: | 201710728797.0 | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN107390759A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 郑春秋 | 申请(专利权)人: | 苏州麦喆思科电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 许方 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基准 电压 | ||
1.一种基准电压源,其特征在于,包括启动电路和电压源电路,电压源电路包括第一至第二P沟道MOS管、第一至第六N沟道MOS管、电容、第一至第四电阻和第一至第五PNP三极管;其中,
第一P沟道MOS管的栅极与第一P沟道MOS管的漏极、第一N沟道MOS管的漏极、第二P沟道MOS管的漏极分别连接,第一P沟道MOS管的源极与电容的一端连接,电容的另一端与第一电阻的一端、第一PNP三极管的基极、第一PNP三极管的集电极、第二PNP三极管的集电极、第三PNP三极管的集电极、第四PNP三极管的集电极、第四PNP三极管的基极、第五PNP三极管的基极、第五PNP三极管的集电极、地分别连接,第一电阻的另一端与第二P沟道MOS管的源极连接,第一PNP三极管的发射极与第二电阻的一端、第二PNP三极管的基极分别连接,第二PNP三极管的发射极与第三N沟道MOS管的漏极连接,第三PNP三极管的发射极与第四N沟道MOS管的漏极连接,第四PNP三极管的发射极与第三PNP三极管的基极、第三电阻的一端分别连接,第五PNP三极管的发射极与第四电阻的一端连接,第二电阻的另一端与第二N沟道MOS管的漏极连接,第三电阻的另一端与第五N沟道MOS管的漏极连接,第四电阻的另一端与第六N沟道MOS管的漏极连接,第一至第六N沟道MOS管的源极分别与电源连接,第一N沟道MOS管的栅极与第二N沟道MOS管的栅极、第三N沟道MOS管的栅极、第四N沟道MOS管的栅极、第五N沟道MOS管的栅极、第六N沟道MOS管的栅极分别连接。
2.根据权利要求1所述的一种基准电压源,其特征在于,所述启动电路包括第五电阻和第三至第四P沟道MOS管,其中,第五电阻的一端与电源连接,第五电阻的另一端与第三P沟道MOS管的漏极、第四P沟道MOS管的栅极分别连接,第四P沟道MOS管的漏极与第一N沟道MOS管的栅极连接,第四P沟道MOS管的源极与第三P沟道MOS管的源极、地分别连接。
3.根据权利要求1所述的一种基准电压源,其特征在于,第二电阻的阻值与第三电阻的阻值相同。
4.根据权利要求1所述的一种基准电压源,其特征在于,电源为+5V。
5.根据权利要求1所述的一种基准电压源,其特征在于,还包括放大电路,放大电路与启动电路、电压源电路分别连接。
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