[发明专利]一种3D NAND闪存的制作方法

权利要求书

1.一种3D NAND闪存的制作方法，包括以下步骤：

提供器件晶圆；所述器件晶圆包括第一衬底、第一沟道、硅外延层和第一沟道侧壁堆叠结构，所述第一沟道位于所述第一衬底上且与所述第一衬底接触，所述硅外延层位于所述第一沟道内且与所述第一衬底接触，所述第一沟道侧壁堆叠结构位于所述第一沟道内且位于所述硅外延层上；

提供连接晶圆；所述连接晶圆包括第二衬底、第二沟道和第二沟道侧壁堆叠结构，所述第二沟道位于所述第二衬底上且与所述第二衬底接触，所述第二沟道侧壁堆叠结构位于所述第二沟道内且位于所述第二衬底上；

将所述器件晶圆的连接面与至少一个所述连接晶圆连接为一体，使所述第一沟道侧壁堆叠结构与所述第二沟道侧壁堆叠结构接触。

2.根据权利要求1所述的一种3D NAND闪存的制作方法，其特征在于：

所述连接晶圆的数量为n片，n为≥1的自然数，n的取值具体根据最终O/N层数确定，所述器件晶圆和n片连接晶圆形成的晶圆堆叠结构从下到上为，器件晶圆+n片连接晶圆。

3.根据权利要求2所述的一种3D NAND闪存的制作方法，其特征在于：

所述器件晶圆和连接晶圆在远离所述第一衬底和所述第二衬底的一侧的端面都具有对齐用的多晶硅拐角，以避免多晶硅层在连接的过程中造成对位的偏差；

而所述将器件晶圆与至少一个所述连接晶圆连接为一体，包括以下步骤，

将所述器件晶圆中的所述多晶硅拐角与所述连接晶圆中的至少一个的所述多晶硅拐角对齐贴合，以将二者连接为一体。

4.根据权利要求3所述的一种3D NAND闪存的制作方法，其特征在于：

所述器件晶圆的制备工艺包括以下步骤：

沉积衬底堆叠结构，具体为，提供第一衬底，所述第一衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；所述层间介质层为氧化物，所述牺牲介质层为氮化硅层；

刻蚀衬底堆叠结构，具体为，刻蚀所述层间介质层及牺牲介质层以形成第一沟道，所述第一沟道通至所述第一衬底并形成一定深度的第一硅槽；

形成硅外延层，具体为，在所述第一硅槽处进行硅的外延生长形成硅外延层；

形成第一沟道侧壁堆叠结构，具体为，在所述第一沟道的侧壁及硅外延层的表面上沉积堆叠结构，所述第一沟道侧壁堆叠结构为ONOPO；

刻蚀第一沟道侧壁堆叠结构，具体为，沿所述第一沟道侧壁堆叠结构的底壁向下刻蚀，通至所述硅外延层并形成一定深度的第二硅槽；同时去除覆盖所述衬底堆叠结构顶面的所述第一沟道侧壁堆叠结构以露出所述衬底堆叠结构顶面，并去除所述第一沟道侧壁堆叠结构最外侧的氧化物层；

沉积多晶硅层，在所述第一沟道侧壁堆叠结构的侧壁和第二硅槽的表面沉积多晶硅层以将第一沟道侧壁堆叠结构中的多晶硅层和硅外延层连通；

填充插塞氧化物，具体为，先沉积氧化物层，再进行回刻，随后进行第一沟道的插塞氧化物填充；

平坦化插塞氧化物，具体为，平坦化所述插塞氧化物的表面，以露出所述第一沟道侧壁堆叠结构中覆盖所述衬底堆叠结构顶面的多晶硅层；

涂覆光刻胶层；

实施光刻并去除部分所述覆盖所述衬底堆叠结构顶面的多晶硅层以暴露所述第一沟道侧壁堆叠结构中氮化硅层，同时未去除的多晶硅层部分形成多晶硅层端部的拐角；

刻蚀所述第一沟道侧壁堆叠结构中氮化硅层；

沉积氧化物层并平坦化该氧化物层，以露出所述多晶硅层端部的拐角，成为用以对齐的多晶硅拐角。