[发明专利]一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法有效
| 申请号： | 201710726006.0 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107475652B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 佟运祥;李莉;周惠敏;李珍;张殿涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10;C22F1/02;C22C19/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记忆合金 时效处理 超细晶 制备 驱动器 惰性气体保护 生物医疗器械 阻尼损耗因子 循环稳定性 晶粒 合金表面 机械抛光 塑性变形 退火处理 响应频率 对设备 相变热 氧化层 调控 可用 空冷 水冷 酸洗 去除 滞后 | ||
【权利要求书】：
1.一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，定义R相变结束温度与马氏体相变开始温度之间的差值为R相存在区间，其特征是：
(1)以塑性变形与后续退火处理相结合的工艺获得晶粒尺寸在150～300nm范围内的超细晶TiNi基记忆合金；
(2)将所述超细晶TiNi基记忆合金在真空或者惰性气体保护条件下进行长时间时效处理，水冷或空冷，所述长时间时效处理具体包括：时效温度为150～300℃、时效时间为1～100h；
(3)利用机械抛光或酸洗去除合金表面氧化层。
2.根据权利要求1所述的调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是：所述TiNi基记忆合金包括TiNi、TiNiFe、TiNiV或TiNiCr合金。
3.根据权利要求1或2所述的调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是所述塑性变形工艺为：冷轧、冷拔、高压扭转或等径角挤压；其中冷轧与冷拔的变形量不低于30％。
4.根据权利要求1或2所述的调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是所述后续退火处理工艺为：后续退火温度为400～600℃，保温时间为15～60min。
5.根据权利要求3所述的调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是所述后续退火处理工艺为：后续退火温度为400～600℃，保温时间为15～60min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学，未经哈尔滨工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710726006.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
