[发明专利]一种三维微纳米加工方法

权利要求书

1.一种三维微纳米加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，提供一种在离子束辐照下可变形的固体材料；

S2，提供一种掩模；

S3，将掩模固定于固体材料的顶表面上形成样品；

S4，利用离子束辐照样品以在固体材料的未被掩模覆盖的顶表面上形成肿胀，其中，控制离子的种类、能量和剂量以调控肿胀的垂直于顶表面的高度，通过掩模的形状以调控肿胀在平行于顶表面的平面上的分布，所述步骤S4包括：将样品置于离子束真空靶室中进行离子束辐照，在结束辐照后从离子束真空靶室中取出样品，然后去除掩模，离子的能量在10KeV-10MeV之间，离子的剂量在1×10¹³ions/cm²-1×10¹⁸ions/cm²之间，所述掩模具有至少一个孔径在几十纳米到几毫米之间的开孔，肿胀容置于掩模的开孔中，所述掩模为透射电镜铜网、氧化铝模板、或铝箔，所述固体材料为单晶硅、锗、碳化硅、砷化镓、氮化镓、铌酸锂、氟化锂、氧化铝、氧化镁、或铁基合金、镍基合金。

2.根据权利要求1所述的三维微纳米加工方法，其特征在于，离子的剂量在1×10¹⁵ions/cm²-1×10¹⁷ions/cm²之间。

3.根据权利要求2所述的三维微纳米加工方法，其特征在于，离子的种类为元素周期表中从H到Xe的所有元素离子，离子的能量在20KeV-7MeV之间，离子的剂量在2.5×10¹⁵ions/cm²-7.62×10¹⁶ions/cm²之间。

4.根据权利要求1所述的三维微纳米加工方法，其特征在于，肿胀的高度在1纳米到几百纳米之间。

5.根据权利要求4所述的三维微纳米加工方法，其特征在于，肿胀的高度在1.1nm-258.4nm之间。