[发明专利]一种可弯曲磁场测量装置及其制备方法

权利要求书

1.一种可弯曲磁场测量装置，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的柔性基底层(1)、金属缓冲层(2)、磁致伸缩层(3)、压电薄膜层(4)和保护层(7)，所述压电薄膜层面对该保护层的对应侧上设有嵌于该保护层内的换能器层，所述换能器层由叉指换能器(5)和反射栅(6)构成谐振型结构。

2.根据权利要求1所述的可弯曲磁场测量装置，其特征在于，所述换能器层的谐振型结构采用单端对结构，包括一叉指换能器和位于该叉指换能器两侧的反射栅。

3.根据权利要求1所述的可弯曲磁场测量装置，其特征在于，所述换能器层的谐振型结构采用双端对结构，包括呈间隔分布的两叉指换能器和位于该两叉指换能器两侧或中间的反射栅。

4.根据权利要求1-3任一项所述的可弯曲磁场测量装置，其特征在于，所述柔性基底层的厚度大于2倍的所述叉指换能器的全波波长；所述金属缓冲层的厚度为30～60nm；所述磁致伸缩层的厚度为0.5～1.5μm；所述压电薄膜的厚度为0.4～1μm；所述保护层的厚度为200～500nm。

5.根据权利要求4所述的可弯曲磁场测量装置，其特征在于，所述柔性基底层的材料为聚脂、聚酰亚胺、液晶聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲醛、聚丙烯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、聚乙烯对苯二甲酯、聚丙烯己二酯、聚四氟乙烯、丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物、聚砜、尼龙、PDMS中的任一种有机材料制备。

6.根据权利要求4所述的可弯曲磁场测量装置，其特征在于，所述金属缓冲层的材料为Mo、Al、Cr、Ti、Pt或Ta中的一种。

7.根据权利要求4所述的可弯曲磁场测量装置，其特征在于，所述磁致伸缩层的材料为FeCoSiB、FeGa、FeGaB、NiFe、FeCoB或FeSiB中的一种。

8.根据权利要求4所述的可弯曲磁场测量装置，其特征在于，所述保护层的材料采用氧化物材料或压电薄膜层的材料。

9.根据权利要求8所述的可弯曲磁场测量装置，其特征在于，所述压电薄膜层的材料为AlN、ZnO、PVDF或PZT中的一种。

10.由权利要求1-9任一项所述的可弯曲磁场测量装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：首先，利用磁控溅射技术在柔性衬底层上沉积金属缓冲层；然后，再次利用磁控溅射技术对制备好的所述金属缓冲层上沉积磁致伸缩层；然后，继续利用磁控溅射技术对制备好的所述磁致伸缩层上沉积压电薄膜层；然后，结合光刻技术和刻蚀工艺对制备好的所述压电薄膜层上制得换能器层；最后，还是利用磁控溅射技术对制备好的所述换能器层上覆盖保护层。