[发明专利]包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置

说明书

一种有机发光显示装置的像素包括：位于基板上的驱动薄膜晶体管(TFT)、位于基板上的开关TFT和位于基板上的有机发光二极管(OLED)。驱动TFT包括：包含多晶硅的第一有源层、位于第一有源层上的第一绝缘层、以及接触第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极。第一源极电极的至少一部分和第一漏极电极的至少一部分设置在不同的层上。开关TFT电连接至驱动TFT，开关TFT包括含氧化物半导体材料的第二有源层。OLED电连接至驱动TFT。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0161216号的优先权，通过引用将上述专利申请的公开内容结合在此。

技术领域

本公开内容涉及一种包括设置在单个基板上的不同类型的薄膜晶体管的有机发光显示装置。

背景技术

近来,随着显示技术的进步，已经开发了具有优异性能、更加纤薄、重量更轻以及功耗更低的各种显示装置。

显示装置的具体实例包括液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置、电泳显示(EPD)装置、电润湿显示(EWD)装置和类似装置。特别地，相较于LCD装置，OLED装置作为具有自发光特性的显示装置，在视角、对比度、响应速度、功耗等方面具有优异的特性。

OLED装置包括设置有用于显示图像的有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的像素电路的显示区域。此外，OLED装置包括邻近于显示区域且其中设置有驱动电路的非显示区域。特别地，多个薄膜晶体管存在于像素电路和驱动电路中，以便驱动多个像素中的有机发光二极管。

薄膜晶体管(TFT)可根据其有源层的材料进行分类。特别地，低温多晶硅(LTPS)TFT和氧化物半导体TFT是常用的。然而，在现有技术的OLED装置中，像素电路和驱动电路中的单个基板上仅使用LTPS TFT或仅使用氧化物半导体TFT。然而，像素电路和驱动电路中仅有LTPS TFT或仅有氧化物半导体TFT导致在OLED装置的性能方面存在某些限制。因此，需要在单个OLED装置中使用不同类型的薄膜晶体管。

发明内容

本公开内容的发明者认识到上述需要并针对在用于OLED显示器的单个基板上使用不同类型的薄膜晶体管进行了研究。结果，发明者设想了一种有机发光显示装置，其中一个或多个多晶硅薄膜晶体管和一个或多个氧化物半导体薄膜晶体管一起形成于单个基板上。

因此，本公开内容要实现的一个目的是在形成多晶硅薄膜晶体管的源极电极和漏极电极的工艺中，最小化蚀刻产生的对氧化物半导体层的损坏。

本公开内容的目的并不限于上述目的，本领域的普通技术人员根据以下描述将会理解上面未提到的其他目的。

根据本公开内容的一个方面，提供一种包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括基板、设置在基板上的LTPS薄膜晶体管、和设置在基板上的氧化物半导体薄膜晶体管。氧化物半导体薄膜晶体管的源极电极和漏极电极由能够进行湿法蚀刻的材料形成。氧化物半导体薄膜晶体管的源极电极和漏极电极设置在与LTPS薄膜晶体管的源极电极或漏极电极之一不同的层上。与其中氧化物半导体薄膜晶体管的源极电极和漏极电极与LTPS薄膜晶体管的源极电极和漏极电极位于同一层上的结构相比，氧化物半导体薄膜晶体管的有源层的宽度较大。

根据本公开内容的另一方面，提供一种包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括：基板，所述基板被限定为显示区域和位于显示区域一侧上的非显示区域；位于显示区域上的LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管；连接至LTPS薄膜晶体管的有源层的第一电极和第二电极；以及连接至氧化物半导体薄膜晶体管的有源层的第三电极和第四电极。第一电极和第二电极由相互不同的材料组成。第二电极、第三电极和第四电极由相同的材料组成。

其他示例性实施方式的细节将被包括在本发明的详细描述和附图中。