[发明专利]双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管及其评价方法有效
| 申请号： | 201710719951.8 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107481937B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 黄启俊;杜寰;高潮 | 申请（专利权）人： | 扬州江新电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈栋智 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 角度 梯形 截面 形状 场效应 晶体管 及其 评价 方法 | ||
1.一种鳍型场效应晶体管的评价方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)设计双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管，包括半导体鳍，所述半导体鳍包括顶面、底面以及两对称设置的侧面，侧面包括第一侧面和第二侧面，第一侧面的顶部连顶面，第一侧面的底部连第二侧面的顶部，第二侧面的底部连底面，其中，所述第一侧面与底面之间的夹角为α，所述第二侧面与底面的夹角为β；
2)设定形状因子γFin，
γFin＝Wchannel/Schannel＝(Wtop+Wsidewalls)/Schannel
其中，Wchannel为半导体鳍截面形状中沟道的有效宽度，Wtop为沟道顶的宽度，Wsidewalls为沟道两侧的宽度，有效宽度Wchannel＝Wtop+Wsidewalls，Schannel为截面沟道的面积，Schannel可根据Wtop、Wsidewalls、α、β计算获得；
3)通过形状因子γFin配合半导体物理领域的连续性方程以及边界条件计算出形状因子γFin与器件性能的关系图；
4)根据所述关系图评价具有双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管的性能。
2.根据权利要求1所述的鳍型场效应晶体管的评价方法，其特征在于，其中，70°≤α＜90°，70°＜β≤90°。
3.根据权利要求1所述的鳍型场效应晶体管的评价方法，其特征在于，所述α＝70°，β＝90°。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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