[发明专利]半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种NAND存储器，包括：

硅基板；

一个或多个外围器件；

形成在所述外围器件上方的一个或多个NAND串；其中,每一个NAND串包括：多个导体/绝缘体叠层；

形成在所述一个或多个NAND串上方的单晶硅层，所述单晶硅层作为硅基板并与所述一个或多个NAND串接触连接，和

形成在所述一个或多个外围器件和一个或多个NAND串之间的一个或多个第一互联层；

所述存储器进一步包括：

形成在所述多个NAND串上方的第二互联层；

贯穿阵列触点，竖直穿过所述多个导体/绝缘体叠层和所述单晶硅层，连接所述第一互联层和所述第二互联层。

2.如权利要求1所述的一种NAND存储器，其中,每一个NAND串还包括：

垂直延伸穿过所述多个导体/绝缘体叠层的半导体通道；

形成在所述多个导体/绝缘体叠层和所述半导体通道之间的隧道层；

和形成在所述隧道层和多个导体/绝缘体叠层之间的存储单元层。

3.如权利要求2所述的一种NAND存储器，进一步包括一个或多个第一触点，其中，每个所述第一触点垂直延伸并且具有与所述NAND串的所述多个导体/绝缘体叠层的导体层接触的上端，和其中，每一个第一触点形成在所述导体层的下端，并与导体层接触连接。

4.如权利要求2所述的一种NAND存储器，进一步包括一个或多个第二触点，其中所述第二触点竖直穿过所述多个导体/绝缘体叠层，并且所述第二触点的上端与所述单晶硅层接触连接。

5.如权利要求2所述的一种NAND存储器，其中，所述第二互联层包含一个或多个形成在一个或多个绝缘层中的导体层。

6.如权利要求1所述的一种NAND存储器，其中，所述多个NAND串包括形成在另一个NAND串上的一个NAND串。

7.如权利要求6所述的一种NAND存储器，其中，所述形成在另一NAND串上的所述NAND串通过形成在所述NAND串和另一个NAND串之间的导体部分与另一个NAND串连接。

8.一种制造NAND存储器的方法，包括：

在第一硅基板上形成一个或多个外围器件；在第二硅基板上形成一个或多个NAND串；形成一个或多个第一触点，其中，每一个NAND串包括：多个导体/绝缘体叠层；每个所述第一触点垂直延伸并且具有一个与所述NAND串的多个导体/绝缘体叠层的导体层的接触端；

将所述一个或多个NAND串放置在所述一个或多个外围器件上方，从而使得第二硅基板位于所述一个或多个NAND串上方；

通过结合处理将所述一个或多个NAND串和所述一个或多个外围器件结合在一起；并且

减薄所述第二硅基板以使其形成所述一个或多个NAND串上方的单晶硅层，所述单晶硅层作为硅基板。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述NAND串包括：在第二硅基板上形成多个导体/绝缘体叠层。

10.如权利要求8所述的方法，进一步包括形成在所述第二硅基板上方的所述一个或多个NAND串的第一互联层，用以连接所述NAND串和所述一个或多个外围器件。