[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板，该阵列基板包括：衬底基板；栅极层；栅极绝缘层；公共电极层，公共电极层包括第一公共电极层、第二公共电极层以及第三公共电极层，第一公共电极层和第二公共电极层分别位于栅极层的两端；源极层和漏极层；金属氧化物半导体材料层，覆盖在源极层、栅极绝缘层以及漏极层上，其中，第一公共电极层和第二公共电极层的透明电极材料与金属氧化物半导体材料层的金属氧化物半导体材料在相互接触区域形成轻掺杂漏结构LDD；钝化层；平坦层；像素电极层。通过上述方式，能够实现非离子注入的方式形成轻掺杂漏结构LDD，消除界面缺陷。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板。

背景技术

在平面转换(In-Plane Switching，IPS)模式液晶显示器中，当液晶分子设置在像素电极和公共电极外，就不能被驱动而保持初始状态，即，保持初始排列方向。由于液晶分子在初始状态下时不能适当地控制透光率，会降低孔径比和亮度。

目前，为了解决IPS模式液晶显示器的上述缺点，已经提出了一种由边缘电场驱动的边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)型液晶显示器。FFS型液晶显示器包括公共电极和像素电极，公共电极和像素电极之间设置有绝缘层，且像素电极和公共电极之间的间隙比上基板与下基板之间的间隙窄，如此，在公共电极与像素电极之间以及超出这些电极的空间内会形成具有抛物线形状的边缘电场，设置在上基板与下基板之间的大部分液晶分子就可以通过边缘电场驱动。

本申请的发明人在长期的研发过程中，发现目前FFS型液晶显示器中的公共电极通常设置于源极层和漏极层的上方，通常都是采用离子注入的方式形成轻掺杂漏结构，界面存在缺陷。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板，能够实现非离子注入的方式形成轻掺杂漏结构LDD，消除界面缺陷。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：

衬底基板；

栅极层，形成在所述衬底基板上；

栅极绝缘层，覆盖在所述衬底基板和所述栅极层上；

公共电极层，间隔形成在所述栅极绝缘层上，其中，所述公共电极层包括第一公共电极层、第二公共电极层以及第三公共电极层，所述第一公共电极层和所述第二公共电极层分别位于所述栅极层的两端；

源极层和漏极层，分别形成在所述第一公共电极层和所述第二公共电极层上；

金属氧化物半导体材料层，覆盖在所述源极层、所述栅极绝缘层以及所述漏极层上，其中，所述第一公共电极层和所述第二公共电极层的透明电极材料与所述金属氧化物半导体材料层的金属氧化物半导体材料在相互接触区域形成轻掺杂漏结构LDD；

钝化层，覆盖在所述金属氧化物半导体材料层、所述栅极绝缘层以及所述第三公共电极层上；

平坦层，形成在所述钝化层上，其包括贯穿所述平坦层的接触孔，所述接触孔的一端延伸并贯通所述钝化层、所述金属氧化物半导体材料层，与所述漏极层连接，所述接触孔中填充的材料为透明电极材料；

像素电极层，间隔形成在所述平坦层上，所述接触孔的另一端与所述像素电极层连接。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对设置，其包括：

衬底基板；

栅极层，形成在所述衬底基板上；