[发明专利]OLED器件的封装结构和OLED器件

权利要求书

1.一种OLED器件的封装结构，包括无机阻隔层和有机密封层，其特征在于，还包括紧邻所述有机密封层设置的牺牲保护层，所述牺牲保护层相对与其紧邻的所述有机密封层更远离OLED发光结构，所述牺牲保护层的致密性大于所述有机密封层的致密性，所述牺牲保护层采用有机材料形成；

所述有机材料包括亚克力或环氧树脂，通过喷墨打印方式形成所述牺牲保护层；

所述牺牲保护层的长和宽比与其紧邻的所述有机密封层的长和宽分别大10-50微米，所述牺牲保护层的厚度范围为1-4微米。

2.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层和第二无机阻隔层；

所述OLED器件的封装结构为依次层叠设置的所述第一无机阻隔层、所述有机密封层、所述牺牲保护层和所述第二无机阻隔层。

3.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述无机阻隔层包括分离设置的第一无机阻隔层、第二无机阻隔层和第三无机阻隔层，所述有机密封层包括分离设置的第一有机密封层和第二有机密封层，所述牺牲保护层包括分离设置的第一牺牲保护层和第二牺牲保护层；

所述OLED器件的封装结构为依次层叠设置的所述第一无机阻隔层、所述第一有机密封层、所述第一牺牲保护层、所述第二无机阻隔层、所述第二牺牲保护层和所述第三无机阻隔层。

4.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述有机材料包括六甲基二甲硅醚，通过等离子体增强化学气相沉积法形成所述牺牲保护层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述无机阻隔层采用氧化铝或氧化锆中的任一种，通过原子层沉积法形成。

6.根据权利要求1-4任一项所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述无机阻隔层采用SiNx、SiON或SiO₂中的任一种材料，通过等离子体增强化学气相沉积法形成。

7.根据权利要求1-4任一项所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述有机密封层采用亚克力材料，通过喷墨打印工艺形成。

8.一种OLED器件，包括OLED发光结构，其特征在于，所述OLED发光结构的外围设置有权利要求1-7任一所述的OLED器件的封装结构。