[发明专利]巨量转移电子元件的方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种转移电子元件的方法，且特别是有关于一种巨量转移微型电子元件的方法。

背景技术

近年来，在发光二极管的技术领域中发展出一种将原本发光二极管的尺寸缩小至微米等级的发光二极管，而此种发光二极管被称为微型发光二极管(Micro LED,μLED)。当微型发光二极管用于显示技术的领域中时，每一个微型发光二极管可被当作显示面板中的子画素(Sub-pixel)，而此种显示面板则被称为微型发光二极管显示面板(Micro LED Display)。由于微型发光二极管显示面板具有高发光效率、寿命长以及高分辨率等优点，因而被视为是下一个显示技术的主流。

然而，现今的显示面板通常具有数以百万计的画素，并且微型发光二极管的元件尺寸微小而难以精准对位。因此，若将微型发光二极管经过个别地拾取后，而对位至显示面板的背板(Backplane)上时，则其成本较高且制程时间过久。但是，若直接以大面积方式将所有的微型发光二极管转移于背板时，则非常容易会对位不精准而导致微型发光二极管无法成功地与背板电性连接，而造成坏点(Defect Pixel)的产生，以使微型发光二极管显示面板的制造良率下降，而使微型发光二极管显示面板的发展受到限制。

发明内容

本发明提供一种巨量转移(mass transferring)电子元件的方法，其可以快速且精准地转移巨量的电子元件。

本发明的实施例提供一种巨量转移电子元件的方法，包括以下步骤：首先，提供晶圆，此晶圆包括基板以及多个电子元件，这些电子元件以矩阵方式排列于基板的表面上。将晶圆贴附于暂时性固定层。切割晶圆，以使晶圆形成多个板块，其中板块包含至少部分电子元件以及子基板。扩张暂时性固定层，以使暂时性固定层上的这些板块随着暂时性固定层扩张而彼此分离。将这些板块中的至少一部分选定为预定接合部分，将此预定接合部分中的每一板块分次地转移于承载基板或暂时性基板，以使在此预定接合部分中的这些电子元件接合于承载基板上。分次移除这些板块中的这些子基板。

在本发明的一实施例中，在上述的切割晶圆，以使晶圆形成多个板块的步骤中，更包括：透过激光切割法或光化学反应法或光物理反应法以在晶圆形成多个痕迹。透过劈裂装置沿着这些痕迹将晶圆劈裂成这些板块。

在本发明的一实施例中，在上述的透过激光切割法以在晶圆形成多个痕迹的步骤中，更包括：将激光对焦于基板的表面，以在基板的表面上形成这些痕迹。

在本发明的一实施例中，在上述的透过激光切割法以在晶圆形成这些痕迹的步骤中，更包括：将激光对焦于基板的内部，以在基板的内部形成这些痕迹。

在本发明的一实施例中，上述的预定接合部分中的这些电子元件的多个电极对透过一热压合法分别直接接合于承载基板的多个接合电极对。

在本发明的一实施例中，上述的这些电极对与这些接合电极对的结合方式为共晶接合或焊接接合。

在本发明的一实施例中，上述的热压合法包括使用焊料回流焊。

在本发明的一实施例中，在上述的分次移除该这些板块中的这些子基板的步骤中，更包括：透过激光剥离法、光化学反应法或光物理反应法剥离这些板块中的这些子基板。

在本发明的一实施例中，在上述的透过激光剥离法移除这些板块中的这些子基板的步骤后，这些板块中的这些电子元件暴露出多个表面，金属生成于这些表面上。在金属生成的步骤后，更包括：移除金属。

在本发明的一实施例中，上述的每一板块中的这些电子元件的数量落在1至5×10⁶的范围内。

本发明的实施例提供一种巨量转移电子元件的方法，包括以下步骤：提供承载基板，承载基板具有多个接合电极对，该些接合电极对包括多个第一接合电极对以及第二接合电极对。提供第一晶圆以及第二晶圆。第一晶圆包括第一基板以及以阵列方式排列于第一基板上的多个第一电子元件。第二晶圆包括第二基板以及以阵列方式排列于第二基板上的多个第二电子元件。这些第一电子元件投影于承载基板上的位置分别为多个第一位置，这些第一位置对应于该些第一接合电极对的位置。这些第二电子元件投影于承载基板上的位置分别为多个第二位置，这些第二位置对应于该些第二接合电极对的位置，这些第一位置不同于这些第二位置。将第一晶圆与第二晶圆分次接合于承载基板上的这些第一接合电极对以及这些第二接合电极对，以使这些第一电子元件与这些第二电子元件分别接合于承载基板。移除第一晶圆中的第一基板以及第二晶圆中的第二基板。