[发明专利]OLED显示面板、OLED显示面板的制造方法及显示装置有效
| 申请号: | 201710712892.1 | 申请日: | 2017-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN107706210B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
| 发明(设计)人: | 宋振;王国英;刘凤娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 面板 制造 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种OLED显示面板、OLED显示面板的制造方法及一种显示装置,以简化工艺步骤、提高良品率,并提高显示效率。该OLED显示面板,包括对盒设置的盖板和背板,其中:所述盖板上阵列排布有多个彩膜单元,且各彩膜单元之间的间隙均填充有辅助阴极,所述辅助阴极包括依次形成于盖板上的黑矩阵、缓冲层和金属层;所述辅助阴极和彩膜单元上形成有平坦层,且所述平坦层对应所述辅助阴极处具有多个开孔;所述平坦层上对应所述辅助阴极处形成有多个隔垫物,且所述隔垫物抵接支撑于所述盖板和背板之间;形成于所述平坦层和隔垫物上的透明电极层,所述透明电极层通过至少部分所述开孔与辅助阴极连通;所述盖板的彩膜层和所述背板的像素区相对设置。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机发光二级管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板、一种OLED显示面板的制造方法及一种显示装置。
背景技术
OLED显示屏由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点,已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
为实现高像素显示屏的制造,得到高清晰度,高保真的显示画面,业界提出了将Oxide BP与打印OLED相结合实现顶发射的方案。发明人发现由于顶发射需要配合透明阴极的制备,如蒸镀的镁、银或者透明导电氧化物掺铟氧化锌(IZO)等材料,且由于其电阻较大,存在公共电极电压压降的问题,所以需要设计辅助阴极走线。将辅助电极制造在背板上,除了工艺上实现起来有难度,还面临着走线短路的风险,良率无法保证。
发明内容
本发明提供了一种OLED显示面板、一种OLED显示面板的制造方法及一种显示装置,以简化工艺步骤、提高良品率,并提高显示效率。
本发明实施例提供的OLED显示面板,包括对盒设置的盖板和背板,其中:
所述盖板上阵列排布有多个彩膜单元,且各彩膜单元之间的间隙均填充有辅助阴极,所述辅助阴极包括依次形成于盖板上的黑矩阵、缓冲层和金属层;
所述辅助阴极和彩膜单元上形成有平坦层,且所述平坦层对应所述辅助阴极处具有多个开孔;
所述平坦层上对应所述辅助阴极处形成有多个隔垫物,且所述多个隔垫物抵接支撑于所述盖板和背板之间;
形成于所述平坦层和隔垫物上的透明电极层,所述透明电极层通过至少部分所述开孔与辅助阴极连通;
所述盖板的彩膜层和所述背板的像素区相对设置。
本发明的的技术方案中,辅助阴极的金属层沉积在缓冲层上,考虑了金属在绝缘介质上的粘附性更高,不容易脱落,有利于提升制造良率;辅助阴极周侧的彩膜层、平坦层和透明电极层的结构则降低了遮光率,从而提高了本发明OLED显示面板的显示效率。
优选的,所述多个开孔和多个隔垫物在盖板上的正投影没有重叠区域。
优选的,所述隔垫物呈圆台状,且所述隔垫物在盖板上的正投影处于辅助阴极在盖板上的正投影内。
可选的,所述透明电极层材质包括氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺铟氧化锌、掺氟氧化锡或掺铝锌氧化锡。
可选的,所述辅助阴极的金属层材质包括银、铜、铝、或钼。
优选的,所述盖板和背板压合封装。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括前述任一技术方案所述的OLED显示面板。由于OLED显示面板具有上述效果,因此该显示装置的结构也大大简化了其生产工艺,提高了良品率,有利于提高产品的生产效率及产品质量。
此外,本发明实施例还提供了一种OLED显示面板的制造方法,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





