[发明专利]有机电致发光显示基板及有机电致发光显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光显示基板及显示装置。

背景技术

有机电致发光二极管(Organi c Li ght-Emi t t i ng D i ode,OLED)因其高亮度、自发光、响应快以及低驱动电压等优点，已成为显示领域的新兴技术；在大尺寸OLED屏幕方向，目前主流结构是底发光结构，阴极采用较厚的碱金属，但是，随着用户对分辨率的要求越来越高，而底发光结构的OLED会受到开口率的限制，难以实现较高的分辨率；越来越多的厂家将尽力转向顶发光OLED的开发，以期望实现更高的分辨率。

顶发光OLED结构采用透明导电氧化物或较薄的半透明金属作为顶部阴极，较薄的半透明阴极通常电阻较高；当显示尺寸较大时，在屏幕中心的发光点，由于离电极借口较远，长距离的电流传输使其驱动电压上升较大，便会造成屏幕内边缘距离接口较近区域和屏幕中心区域发光点的驱动电压差距过大，会产生压降的问题；而依靠薄膜晶体管侧的电路设计，难以有效的解决。

目前可以通过在透明阴极的像素单元空隙区域打印辅助电极，从而改善压降的问题，但是辅助电极打印到像素间隔体时，若打印线宽较窄，辅助电极会发生断续现象，无法有效解决压降问题；若打印线宽较宽，会存在溢流到像素内的风险。

发明内容

本发明提供一种有机电致发光显示基板及有机电致发光显示装置，能够有效的避免辅助电极的溢流风险，同时易于获得连续的银线辅助电极，可改善压降的问题。

本发明提供一种有机电致发光显示基板，包括衬底、像素单元、设置在所述衬底上用于限定所述像素单元的像素间隔体以及辅助电极；

所述像素间隔体顶部设置有沟槽，用于容纳所述辅助电极。

根据本发明一实施例，所述像素间隔体形状为梯台，所述梯台形状的像素间隔体的高度为0.2～5um，倾斜角为10°～80°之间。

根据本发明一实施例，所述沟槽位于像素间隔体的中间位置，所述沟槽的宽度比所述像素间隔体顶部宽度小2～10um。

根据本发明一实施例，所述沟槽的深度为0.1～2um。

根据本发明一实施例，所述像素单元包括有机电致发光功能器件和金属阳极；

金属阳极，阵列设置于所述衬底表面；

有机电致发光功能器件设置于所述金属阳极表面。

根据本发明一实施例，所述沟槽设置在所述像素单元长轴方向空隙之间或设置在所述像素单元短轴方向空隙之间。

根据本发明一实施例，所述像素单元四周与所述像素间隔体边侧紧密贴合。

根据本发明一实施例，所述有机电致发光显示基板还包括透明阴极，所述透明阴极覆盖于所述像素间隔体和所述像素单元的表面，并与所述金属阳极耦合。

根据本发明一实施例，所述辅助电极设置于所述透明阴极的表面。

一种顶发光有机电致发光显示装置，包括上述任一所述的有机电致发光显示基板。

本发明提供一种有机电致发光显示基板及有机电致发光显示装置，通过在像素间隔体的顶部设置沟槽同于定义辅助电极打印区域，能够有效的避免辅助电极的溢流风险，同时易于获得连续的银线辅助电极，可改善压降的问题。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例的有机电致发光显示基板的结构示意图；

图2为本发明实施例的有机电致发光显示基板的俯视结构示意图。

图3为本发明实施例的有机电致发光显示基板的又一结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明：

如图1所示，一种有机电致发光显示基板1，包括衬底101、像素单元102、设置在所述衬底101上用于限定像素单元102的像素间隔体103以及辅助电极105；

所述像素间隔体103顶部设置有沟槽104，用于容纳所述辅助电极105。