[发明专利]蚀刻设备

权利要求书

1.一种蚀刻设备，用于蚀刻一基板，其特征在于，包括蚀刻腔室，以及收容于所述蚀刻腔室的可旋转的承载平台、与所述承载平台的表面平行的上电极板、下电极板及两个遮挡板；所述下电极板设于所述承载平台上，所述上电极板设于所述蚀刻腔室顶部位于下电极板正上方，所述两个遮挡板设于所述上电极板与下电极板之间且所述遮挡板相对所述承载平台移动，

所述两个遮挡板与所述承载平台的表面平行相对，并且以所述承载平台的轴线对称设置，每一所述遮挡板在所述承载平台的表面的正投影由所述承载平台的轴心沿着承载平台的旋转轨迹的半径延伸，所述遮挡板正投影的长度与所述半径长度相等，所述两个遮挡板的正投影位于同一条直径所在直线上；

所述基板放置于所述承载平台上，所述基板由轴心向外包括中心区和边缘区，通过改变所述遮挡板垂直于所述半径方向的宽度以使位于所述基板的中心区和边缘区被蚀刻深度相同。

2.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，在所述承载平台旋转的旋转角速度不变时，所述中心区的蚀刻速率小于边缘区的蚀刻速率，所述遮挡板的宽度由边缘区向中心区方向逐渐减小。

3.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，在所述承载平台旋转的旋转角速度不变时，所述中心区的蚀刻速率大于边缘区的蚀刻速率，所述遮挡板的宽度由边缘区向中心区方向逐渐增大。

4.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，在所述遮挡板的宽度不变时，调整所述承载平台旋转的旋转角速度以实现所述承载平台中心区和外围区的蚀刻深度相同。

5.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，沿着所述承载平台由轴心向外延伸的方向，所述遮挡板的宽度为两端向中间位置逐渐减小。

6.如权利要求1-5任一项所述的蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻腔室内设有两个相对的支撑架，设于每一个支撑架上的设置有移动部，所述承载平台位于两个所述支撑架之间，所述两个移动部分别用于固定所述遮挡板；所述两个移动部带动所述两个遮挡板同步或者分别相对所述承载平台移动。

7.如权利要求6所述的蚀刻设备，其特征在于，所述移动部上设有传感器，所述两个支撑架上设有光栅刻度尺，所述传感器通过光栅刻度尺感测所述遮挡板移动高度。

8.如权利要求1项所述的蚀刻设备，其特征在于，所述遮挡板的材料选为与蚀刻腔室内壁同样的材质、或者玻璃材质。

9.如权利要求1项所述的蚀刻设备，其特征在于，所述承载平台连接有旋转装置，所述旋转装置带动所述承载平台旋转，并且所述承载平台轴心位置设有通孔。

10.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述遮挡板的宽度变化范围为5-10mm。