[发明专利]无磁性的宽带微波超高真空接头有效
申请号: | 201710708433.6 | 申请日: | 2017-08-17 |
公开(公告)号: | CN107528105B | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 高源慈;赖雨瑞;冯晨晨;韩文焕 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/04 | 分类号: | H01P1/04 |
代理公司: | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 宽带 微波 超高 真空 接头 | ||
1.一种无磁性的宽带微波超高真空接头,其特征在于:包括圆柱形的接头座子(1),接头座子(1)上方设置有微波焊接件(2)、陶瓷件(3)、第一同轴介质(5)、第一内导体卡子(6)、接头匹配调节件(7)、第一SMA接头(8)、第一SMA凸接头(9)、 SMA同轴线(10)、同轴线内导体(11)、接头固定件(14),下方设置有第二SMA接头(12)、第二SMA凸接头(13)、第二同轴介质(16)、第二内导体卡子(17);导体芯(4)贯穿接头座子(1),所述超高真空接头所有材料均不含磁性;
所述接头座子(1)水平设置,其中心设置有轴向通孔,所述微波焊接件(2)为与接头座子(1)同轴的阶梯环形结构且固定安装在所述接头座子(1)上;所述陶瓷件(3)与微波焊接件(2)同轴设置且通过真空密封焊接方式固定于微波焊接件(2)内部靠近接头座子(1)的顶端,所述导体芯(4)沿轴向贯穿陶瓷件(3)中心并与陶瓷件(3)作真空焊接;第一内导体卡子(6)用于连接同轴线内导体(11)和导体芯(4),所述第一内导体卡子(6)的上下两端分别套接于同轴线内导体(11)的外表面和导体芯(4)的外表面,所述第一同轴介质(5)与第一内导体卡子(6)外侧连接并紧固第一内导体卡子(6);所述接头匹配调节件(7)套设在第一同轴介质(5)的外侧,接头匹配调节件(7)的外侧表面通过螺纹和接头固定件(14)的内侧螺纹连接,第一SMA接头(8)置于接头匹配调节件(7)的外侧上方,并与接头匹配调节件(7)螺纹连接;第一SMA凸接头(9)置于第一SMA接头(8)的内侧并通过螺纹与第一SMA接头(8)连接;SMA同轴线(10)置于第一SMA凸接头(9)内,SMA同轴线(10)的下表面与同轴介质(5)上表面相接;同轴线内导体(11)置于SMA同轴线(10)中心,贯穿SMA同轴线(10)并延长至第一内导体卡子(6)中;第二SMA接头(12)置于接头座子(1)外侧下方并通过螺纹与接头座子(1)连接;第二SMA凸接头(13)置于第二SMA接头的内侧并通过螺纹与第二SMA接头连接;接头固定件(14)上设有螺钉孔,整个接头装置通过接头固定件(14)及与螺钉孔配合的螺钉(15)安装并固定于金属腔壁上;第二同轴介质(16)套设在第二内导体卡子(17)外部,第二内导体卡子(17)套设在导体芯(4)外部;第二内导体卡子(17)置于第二同轴介质(16)内部并连接导体芯(4)和外接的同轴线的内导体。
2.如权利要求1所述的无磁性的宽带微波超高真空接头,其特征在于:陶瓷件(3)采用相对介电常数为9.8的三氧化二铝陶瓷材料。
3.如权利要求1所述的无磁性的宽带微波超高真空接头,其特征在于:导体芯(4)采用钛合金材料。
4.如权利要求1所述的无磁性的宽带微波超高真空接头,其特征在于:第一同轴介质(5)和第二同轴介质(16)采用聚四氟乙烯材料。
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