[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 201710707163.7 | 申请日: | 2017-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN107425017B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
| 发明(设计)人: | 王念念;熊永;张祥;陈虞龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,包括:衬底基板,位于衬底基板的阵列基板行驱动GOA区域的晶体管;晶体管包括第一栅金属层、第一栅绝缘层、第一有源层、第一源漏金属层和第一保护层,其中,第一源漏金属层用于形成源极、漏极和数据信号线;其中,源极与数据信号线通过第一导电部件连接;第一导电部件在第一栅金属层上的正投影对应的第一栅金属层具有镂空图案。一旦源极与第一栅金属层发生短路,通过移除第一导电部件即可解决短路问题,并且由于第一导电部件在第一栅金属层上的正投影对应的第一栅金属层具有镂空图案,因此在移除第一导电部件的同时不会形成第一源漏金属层与第一栅金属层熔接导致的新短路不良。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,显示面板呈现出了高集成度和低成本的发展趋势。其中,GOA(Gate Driver on Array,阵列基板行驱动)技术将TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)栅极开关电路集成在显示面板的阵列基板上以形成对显示面板的扫描驱动,从而可以省去栅极集成电路(IC,Integrated Circuit)的绑定(Bonding)区域以及扇出(Fan-out)区域的布线空间,不仅可以在材料成本和制作工艺两方面降低产品成本,而且可以使显示面板做到两边对称和窄边框的美观设计;并且,这种集成工艺还可以省去栅极扫描线方向的绑定工艺,从而提高了产能和良率。
然而,采用GOA的产品结构复杂,线路密集,源漏金属层与栅极金属层极易发生短路,造成GOA不良;特别是栅金属层和源漏金属层采用铜(Cu)制作的产品而言,更易形成颗粒(Particle),进而导致GOA单元发生短路。由于现有GOA产品中栅金属层与源漏金属层上下交叠设计,在使用激光切割不良点进行维修时,容易导致栅金属层与源漏金属层熔接形成新的短路不良,因此一旦出现GOA不良,现有技术难以修复,整块面板将报废处理,造成了极大的经济损失,例如,针对目前8.5代线产品而言,一般GOA相关不可修复不良在0.5%左右,引起的经济损失在500万/百万片。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,可以提高GOA不良维修成功率,降低经济损失。
因此,本发明实施例提供的一种阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板的阵列基板行驱动GOA区域的晶体管;所述晶体管包括第一栅金属层、第一栅绝缘层、第一有源层、第一源漏金属层和第一保护层,其中,所述第一源漏金属层用于形成源极、漏极和数据信号线;
所述源极与所述数据信号线通过第一导电部件连接;
所述第一导电部件在所述第一栅金属层上的正投影对应的所述第一栅金属层具有镂空图案。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述源极、所述数据信号线与所述第一导电部件为一体结构。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括:位于所述衬底基板的显示区域的像素电极;且所述像素电极所在层位于所述第一保护层背离所述衬底基板一侧;
所述第一导电部件与所述像素电极同层设置。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述第一保护层具有与所述源极对应的第一过孔,以及与所述数据信号线对应的第二过孔;
所述第一过孔和所述第二过孔内分别填充有部分所述第一导电部件。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括:位于所述GOA区域且与所述晶体管连接的电容交叠元件;所述电容交叠元件包括:与所述第一栅金属层同层设置的第二栅金属层,与所述第一栅绝缘层同层设置的第二栅绝缘层,与所述第一源漏金属层同层设置的第二源漏金属层,以及与所述第一保护层同层设置的第二保护层;
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





