[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710706988.7 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107591466A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、空穴提供层和P型接触层，其特征在于，所述空穴提供层包括至少一个子层，所述子层包括P型掺杂的铟镓氮层和层叠在所述P型掺杂的铟镓氮层上的氮化铝层。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述P型掺杂的铟镓氮层的厚度为所述氮化铝层的厚度的3～15倍。
3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述子层的数量小于或等于15个。
4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述空穴提供层的厚度为50nm～150nm。
5.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、空穴提供层和P型接触层；
其中，所述空穴提供层包括至少一个子层，所述子层包括P型掺杂的铟镓氮层和层叠在所述P型掺杂的铟镓氮层上的氮化铝层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂的铟镓氮层和所述氮化铝的生长条件相同，所述生长条件包括生长温度和生长压力。
7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述P型半导体层的生长温度为750℃～1080℃。
8.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述P型半导体层的生长压力为200torr～500torr。
9.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂的铟镓氮层的厚度为所述氮化铝层的厚度的3～15倍。
10.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述空穴提供层的厚度为50nm～150nm。
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