[发明专利]半导体封装结构及制造其之方法

说明书

相关申请的交叉参考

本案请求2016年8月31日提交的美国临时专利申请案No.62/382,004的权益和优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件封装，及涉及一种具有支撑半导体芯片的模制化合物载体之半导体器件封装。

背景技术

在半导体器件封装中，模制化合物可用于将半导体芯片及/或其它部件包封在衬底上。半导体器件封装的模具化合物、基板、半导体芯片及/或其它部件之间的热膨胀系数(CTE)之不匹配可能引起翘曲，这可能导致半导体器件封装的可靠性问题。为了解决这种翘曲问题，可增加模制化合物中的填充物的量以减轻翘曲；然而，这也可能增加模制化合物的粘度，而阻碍模制操作。另一个潜在的解决方案是将相对硬的材料(例如萘)引入模制化合物的树脂中；然而，如果存在这种相对硬的模制化合物的形变，则处理后续操作(例如在真空拾取传送操作中)可能是具有挑战性的。处理翘曲问题的另一个潜在解决方案可使用具有良好共面性、耐热性、耐酸性和耐碱性的玻璃载体。然而，玻璃载体可能是脆性的，因此在制造过程中容易破裂。处理翘曲问题的另一个潜在解决方案可以使用在例如约摄氏20度(℃)至约300℃的温度范围内操作时可重复使用且具有低CTE的金属载体。然而，这种金属载体是昂贵的并且具有相对差的共面性。此外，当使用金属载体或玻璃载体时，在制造过程中会引入额外的接合和剥离(de-bonding)操作，从而增加制造成本。

发明内容

在一些实施例中，根据一态样，一种半导体器件封装，其包括一粘合层、粘合层上的一芯片、包封芯片和粘合层的一第一包封层、及与第一包封层和粘合层相邻的一第二包封层。第二包封层具有一第一表面和与第一表面不同的一第二表面。第二包封层的第一表面的一接触角与第二包封层的第二表面的一接触角不同。

在一些实施例中，根据另一态样，一种半导体器件封装，其包括一粘合层、设置在粘合层上的一芯片、包封芯片和粘合层的一第一包封层、及与第一包封层和粘合层相邻的一第二包封层。第二包封层具有一第一表面且包含具有一平面表面的一第一填充物。第一填充物的平面表面与第二包封层的第一表面实质上共面。

在一些实施例中，根据另一态样，揭示一种用于制造半导体器件封装的方法。该方法包含：提供一第一包封层；将一粘合层形成于该第一包封层上；将一芯片设置于该粘合层上；及形成覆盖该芯片、该粘合层、及该第一包封层之一第二包封层。

附图说明

图1绘示根据本发明的一些实施例的半导体器件封装的截面图。

图2绘示根据本发明的一些实施例的包封层的放大截面图。

图3绘示根据本发明的一些实施例的半导体器件封装的截面图。

图4绘示根据本发明的一些实施例的半导体器件封装的截面图。

图5A绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图5B绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图5C绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图5D绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图5E绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6A绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6B绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6C绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6D绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6E绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6F绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6G绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6H绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6I绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6J绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图6K绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图7A绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。

图7B绘示根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件封装的方法。