[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括在所述半导体衬底的主表面上方的第一区、第二区、第三区以及第四区；

第一导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区形成在所述第一区中的所述半导体衬底的所述主表面上方；

第一导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区形成在所述第二区中的所述半导体衬底的所述主表面上方；

下电极，所述下电极形成在所述第三区中的所述半导体衬底的所述主表面上方；

上电极，所述上电极通过第二氧化硅膜和氮化硅膜形成在所述下电极上方，与所述氮化硅膜的顶表面接触；

层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括顺序地形成在所述第一区和所述第二区之间的第四区中的所述半导体衬底的所述主表面上方的第一氧化硅膜、所述氮化硅膜以及第三氧化硅膜；以及

形成在所述第四区中的所述层间绝缘膜上方的布线，

其中，所述下电极和所述上电极形成电容元件。

2.根据权利要求1所述的器件，

其中，凹部形成在从所述布线裸露出的所述层间绝缘膜的顶表面中，以及

其中，恰在所述凹部之下的所述氮化硅膜的顶表面由所述第三氧化硅膜覆盖。

3.根据权利要求1所述的器件，

其中，在所述上电极和所述氮化硅膜之间没有形成氧化硅膜。

4.根据权利要求1所述的器件，

其中，所述半导体衬底的所述主表面的面取向为(100)。

5.根据权利要求1所述的器件，

其中，所述第一氧化硅膜的膜厚大于所述第二氧化硅膜的膜厚。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括：

通过贯穿所述层间绝缘膜而电耦合至所述第一半导体区的第一连接部；以及

通过贯穿所述层间绝缘膜而电耦合至所述第二半导体区的第二连接部，

其中，所述第一半导体区形成第一半导体元件，并且所述第二半导体区形成第二半导体元件。

7.根据权利要求1所述的器件，还包括：

第二导电类型的第三半导体区，所述第三半导体区形成在所述第四区中的所述半导体衬底的所述主表面上方，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。

8.根据权利要求1所述的器件，

其中，所述布线和所述上电极由相同的分层膜形成。

9.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)制备半导体衬底，所述半导体衬底包括在所述半导体衬底的主表面上方的第一区、第二区、第三区以及第四区；

(b)在所述第一区中的所述半导体衬底的所述主表面上方形成第一导电类型的第一半导体区，在所述第二区中的所述半导体衬底的所述主表面上方形成所述第一导电类型的第二半导体区，以及在所述第三区中的所述半导体衬底的所述主表面上方形成下电极；

(c)在步骤(b)之后，在所述半导体衬底的所述主表面上方形成第一氧化硅膜以裸露出所述第三区中的所述半导体衬底的所述主表面；

(d)在步骤(c)之后，形成具有比所述第一氧化硅膜的膜厚小的第二氧化硅膜，以覆盖所述第三区中的所述半导体衬底的所述主表面；

(e)顺序地形成氮化硅膜和第三氧化硅膜以覆盖所述第一氧化硅膜和所述第二氧化硅膜；

(f)除去所述第三氧化硅膜的一部分以裸露出所述第三区中的所述氮化硅膜的顶表面；

(g)在包括在所述第一区、所述第二区和所述第四区中形成的所述第一氧化硅膜、所述氮化硅膜和所述第三氧化硅膜的层间绝缘膜上方，以及在所述第三区中的所述氮化硅膜上方，形成导电膜；以及

(h)通过处理所述导电膜，恰在所述下电极之上形成由所述导电膜制成的上电极，以及在所述层间绝缘膜上方形成由所述导电膜制成的多个布线，

其中，所述下电极和所述上电极形成电容元件，以及

其中，所述布线的一部分形成在位于所述第一区和所述第二区之间的所述第四区中的所述层间绝缘膜上方。

10.根据权利要求9所述的方法，

其中，在步骤(h)中，通过形成用于分离所述导电膜的隔离槽，来形成彼此有距离的所述布线和所述上电极，以及

其中，恰在所述隔离槽之下，所述氮化硅膜的顶表面由所述第三氧化硅膜覆盖。