[发明专利]一种低压快速瞬态响应的片上LDO

权利要求书

1.一种低压快速瞬态响应的片上LDO，包括误差放大器、输出级、功率管(M_P)、第一反馈电阻(R_f1)、第二反馈电阻(R_f2)、负载电容(C_L)、密勒电容(C_C)和调零电阻(R_Z)，

功率管(M_P)的栅极接输出级的输出端，其源极接电源电压，其漏极通过第一反馈电阻(R_f1)和第二反馈电阻(R_f2)的串联结构后接地；

误差放大器的同相输入端连接第一反馈电阻(R_f1)和第二反馈电阻(R_f2)的串联点，其反相输入端连接基准电压(V_REF)，其第一输出端连接所述输出级的第一输入端，其第二输出端连接所述输出级的第二输入端；

密勒电容(C_C)和调零电阻(R_Z)串联，调零电阻(R_Z)的另一端连接功率管(M_P)的栅极，密勒电容(C_C)的另一端连接功率管(M_P)的漏极；

负载电容(C_L)接在功率管(M_P)的漏极和地之间；

其特征在于，所述误差放大器包括第一NMOS管(M₁)、第二NMOS管(M₂)、第三NMOS管(M₃)、第四NMOS管(M₄)、第五NMOS管(M₁₀)、第六NMOS管(M₁₂)、第七NMOS管(M₁₄)、第八NMOS管(M₁₆)、第九NMOS管(M₁₉)、第十NMOS管(M₂₁)、第十一NMOS管(M₂₂)、第一PMOS管(M₅)、第二PMOS管(M₆)、第三PMOS管(M₇)、第四PMOS管(M₈)、第五PMOS管(M₉)、第六PMOS管(M₁₁)、第七PMOS管(M₁₃)、第八PMOS管(M₁₅)、第九PMOS管(M₁₇)、第十PMOS管(M₁₈)、第十一PMOS管(M₂₀)、第一电阻(R_h1)、第二电阻(R_h2)、第一电容(C1)、第二电容(C_h1)和第三电容(C_h2)，

第一NMOS管(M₁)栅极连接第二PMOS管(M₆)的栅极并作为所述误差放大器的反相输入端，其源极连接第二NMOS管(M₂)的漏极和第五PMOS管(M₉)的栅极；

第五NMOS管(M₁₀)的栅极连接第一PMOS管(M₅)的漏极和第二PMOS管(M₆)的源极，其漏极连接第五PMOS管(M₉)的漏极以及第七PMOS管(M₁₃)和第七NMOS管(M₁₄)的栅极；

第七PMOS管(M₁₃)的漏极连接第二NMOS管(M₂)、第四NMOS管(M₄)、第一PMOS管(M₅)和第三PMOS管(M₇)的栅极以及第七NMOS管(M₁₄)的漏极并通过第一电容(C1)后接地；

第三NMOS管(M₃)的栅极连接第四PMOS管(M₈)的栅极并作为所述误差放大器的同相输入端，其源极连接第四NMOS管(M₄)的漏极和第六PMOS管(M₁₁)的栅极；

第六NMOS管(M₁₂)的栅极连接第三PMOS管(M₇)的漏极和第四PMOS管(M₈)的源极，其漏极连接第八PMOS管(M₁₅)的漏极以及第八PMOS管(M₁₅)、第九PMOS管(M₁₇)和第十一PMOS管(M₂₀)的栅极；

第八NMOS管(M₁₆)的栅漏互连并连接第六PMOS管(M₁₁)的漏极以及第九NMOS管(M₁₉)和第十NMOS管(M₂₁)的栅极；

第十PMOS管(M₁₈)的栅极连接第九PMOS管(M₁₇)、第十PMOS管(M₁₈)和第九NMOS管(M₁₉)的漏极并通过第一电阻(R_h1)后连接所述误差放大器的第一输出端，

第十一NMOS管(M₂₂)的栅极连接第十NMOS管(M₂₁)、第十一NMOS管(M₂₂)和第十一PMOS管(M₂₀)的漏极并通过第二电阻(R_h2)后连接所述误差放大器的第二输出端；

第二电容(C_h1)和第三电容(C_h2)串联并接在所述误差放大器的第一输出端和第二输出端之间；

第一NMOS管(M₁)和第三NMOS管(M₃)的漏极接电源电压，第一PMOS管(M₅)、第三PMOS管(M₇)、第五PMOS管(M₉)、第六PMOS管(M₁₁)、第七PMOS管(M₁₃)、第八PMOS管(M₁₅)、第九PMOS管(M₁₇)、第十PMOS管(M₁₈)和第十一PMOS管(M₂₀)的源极接电源电压；

第二NMOS管(M₂)、第四NMOS管(M₄)、第五NMOS管(M₁₀)、第六NMOS管(M₁₂)、第七NMOS管(M₁₄)、第八NMOS管(M₁₆)、第九NMOS管(M₁₉)、第十NMOS管(M₂₁)和第十一NMOS管(M₂₂)的源极接地，第二PMOS管(M₆)和第四PMOS管(M₈)的漏极接地；

所述输出级包括第十二NMOS管(M₂₄)、第十三NMOS管(M₂₇)、第十四NMOS管(M₂₈)、第十二PMOS管(M₂₃)、第十三PMOS管(M₂₅)和第十四PMOS管(M₂₆)，

第十二PMOS管(M₂₃)的栅极作为所述输出级的第一输入端，其漏极连接第十三NMOS管(M₂₇)的栅极和漏极以及第十四NMOS管(M₂₈)的栅极；

第十二NMOS管(M₂₄)的栅极作为所述输出级的第二输入端，其漏极连接第十三PMOS管(M₂₅)的栅极和漏极以及第十四PMOS管(M₂₆)的栅极；

第十四PMOS管(M₂₆)和第十四NMOS管(M₂₈)的漏极相连并作为所述输出级的输出端；

第十二PMOS管(M₂₃)、第十三PMOS管(M₂₅)和第十四PMOS管(M₂₆)的源极接电源电压，第十二NMOS管(M₂₄)、第十三NMOS管(M₂₇)和第十四NMOS管(M₂₈)的源极接地。