[发明专利]一种具有高发光效率的LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括基底和涂覆在该基底表面的第一荧光层、分布在第一荧光层外表面的玻璃微珠、覆盖在玻璃微珠表面的第二荧光层；

所述LED芯片，是由以下方法制备得到的：

（1）、将荧光胶涂覆在基底A表面，并在50~80℃下烘1~5min，得到基片B；所述荧光胶包括荧光粉和粘合物，所述荧光粉与所述粘合物的质量比为1：（60~240）；

（2）、将基片B与电路连接，并接通电源，进行通电，使基片B带正电荷，同时使玻璃微珠带负电荷，通过电荷吸附作用，使得玻璃微珠均匀紧密的分布于基层载膜表面，并经过压合，使玻璃微珠的一部分压合入荧光胶中，再经过高温烘烤固化，在基片B上植入玻璃微珠，得到基片C；

（3）将荧光胶点涂在玻璃微珠上方，并加热使荧光胶固化，固化后的玻璃微珠完全包裹在内，即得到具有高发光效率的LED芯片。

2.根据权利要求1所述的具有高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述基底为N型外延层、P型外延层、N型P型混合外延层中的一种，其掺杂浓度范围为1×10¹³～1×10¹⁸cm^-3。

3.根据权利要求1所述的具有高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述基底的晶型为4H-SiC或6H-SiC。

4.根据权利要求1所述的具有高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述玻璃微珠的粒径为5~30微米，所述玻璃微珠的折射率为2~5%。

5.根据权利要求1所述的具有高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述荧光粉为NaLa(MoO₄)₂/CdTe、NaY(WO₄)₂/CdS、KY(WO₄)₂/ZnSe、CaMoO₄/ZnS、BaMoO₄/CdSe、Sr_0.5Ca_0.5MoO₄/ZnTe和Sr_0.5Ba_0.5MoO₄/CdTe的至少一种。

6.根据权利要求1所述的具有高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述粘合物 为硅胶、环氧树脂和液态玻璃中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的具有高发光效率的LED芯片，其特征在于，步骤（2）中，所述高温固化的温度为60~80℃，所述高温固化的时间为15~60min。

8.根据权利要求1所述的具有高发光效率的LED芯片，其特征在于，在步骤（1）中，所述荧光胶的涂覆方法为旋涂法、喷涂法中的至少一种。