[发明专利]一种半导体激光器侧面泵浦系统

权利要求书

1.一种半导体激光器侧面泵浦系统，包括晶体棒和至少一个半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器的出光方向平行于晶体棒，每一个半导体激光器的出光方向上单独设置有尺寸相适配的全反射组件，发出的光经过全反射组件发生光路偏折后进入晶体棒。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：所述半导体激光器均沿其快轴方向围绕晶体棒排列，半导体激光器在晶体棒外周竖立的方向为慢轴方向。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：所述全反射组件为透光的光学器件，至少具有一个反射面和两个透射面，半导体激光器发出的光从其中一个透射面进入，经反射面全反射后最终从另一个透射面出射进入晶体棒；或者，所述全反射组件为反射镜，半导体激光器发出的光经反射镜直接反射后进入晶体棒。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：所述透光的光学器件整体为平板型，反射面为平面或者阶梯型，入射面设置在半导体激光器的出光位置，出射面设置在晶体棒表面，平板两侧面镀有反射膜以防止侧面漏光；或者，所述透光的光学器件替换为反射镜，其反射面为平面、凸面或者凹面，反射镜与半导体激光器出光端之间还设置有快轴准直镜。

5.根据权利要求3所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：多个半导体激光器及其全反射组件环绕晶体棒排布。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：多个半导体激光器整体设置于晶体棒的一端，或者分为两部分分别位于晶体棒的两端。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：位于晶体棒的两端的两部分半导体激光器及其全反射组件插空排列。

8.根据权利要求5或6所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：在环形排布的一圈半导体激光器及其全反射组件的外围，还扩展有第二圈半导体激光器及其全反射组件。

9.根据权利要求5所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：在每个全反射组件隔着晶体棒的正对面，还设置有用于杂散光二次利用的光学组件，该光学组件使得未被晶体棒吸收的杂散光被反射回晶体棒实现二次利用。

10.根据权利要求5所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：在晶体棒表面外周固定设置有液冷通道，液冷通道至少覆盖对应于全反射组件的区域，通道壁为透明材质。

11.根据权利要求5所述的半导体激光器侧面泵浦系统，其特征在于：在晶体棒表面，相邻的半导体激光器之间填充有扇形夹块；在全部扇形夹块整体的外周设置有锁紧装置，用于将全部半导体激光器向中心的晶体棒收紧固定；

所述扇形夹块延伸至全反射组件所在位置，即也填充于相邻的全反射组件之间，使得所述锁紧装置对半导体激光器及其全反射组件同时产生收紧固定的作用；或者，在全反射组件的外周设置有柱形外壳，柱形外壳内设置有用于固定全反射组件的固定架。