[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201710702156.8 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107452818A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 夏申江;车兆华;周建民;黄海青;屠友明 | 申请（专利权）人： | 蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、金属导电层、阻挡层、Na合金层与外保护导电层；
所述阻挡层为过渡金属氮化物或氮氧化物；所述Na合金层由Na与另一种合金元素构成，Na合金层中的Na含量为2～10%摩尔比；Na合金层厚度为20～50nm。
2.根据权利要求1所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述Na合金层中的另一种合金元素为Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta、Mo、W、Ni或Cu。
3.根据权利要求1所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述过渡金属氮化物中的过渡金属为Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta、Mo、W、Ni或Cu。
4.根据权利要求1所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述衬底为玻璃基板、柔性不锈钢基板或耐高温高分子基板。
5.根据权利要求1所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述金属导电层为Mo、W、Ta、Cu、Cr的其中一种或两种以上。
6.根据权利要求1所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述外保护导电层为Mo。
7.根据权利要求1所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述金属导电层的厚度为100～500nm；阻挡层的厚度为10～80nm；外保护导电层的厚度为20～100nm。
8.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用磁控溅射在衬底上沉积金属导电层；
S2、在金属导电层表面沉积由过渡金属氮化物或氮氧化物构成的阻挡层；
S3、在阻挡层表面沉积Na含量在2～10%摩尔比的Na合金层；
S4、在Na合金层表面沉积外保护导电层，得到权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极。
9.根据权利要求8所述的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池背电极的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的工作气体为氩气，反应气体为氮气与氧气。
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