[发明专利]图像传感器集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器集成芯片，包括：

图像感测元件，布置在衬底内；

吸收增强结构，布置在所述衬底的背侧上方；以及

栅格结构，限定布置在所述图像感测元件上方的开口，其中，所述栅格结构从所述吸收增强结构上方延伸至所述吸收增强结构内的位置，

其中，所述栅格结构包括所述吸收增强结构内的第一宽度和所述吸收增强结构之上的大于所述第一宽度的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片，其中，所述衬底的所述背侧具有包括以周期性图案布置的多个锥形凹陷或突起的非平坦表面。

3.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片，还包括：

介电平坦化结构，布置在所述吸收增强结构上方，其中，所述介电平坦化结构围绕所述栅格结构的侧壁和顶面。

4.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片，其中，所述栅格结构具有位于所述吸收增强结构上方的顶面和位于所述吸收增强结构内的垂直地位于所述衬底的最上点之下的位置处的底面。

5.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片，其中，所述栅格结构包括金属。

6.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片，还包括：多个背侧深沟槽隔离结构，从所述衬底的背侧延伸至所述衬底内，其中，所述栅格结构直接设置在所述多个背侧深沟槽隔离结构上方。

7.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片，其中，所述栅格结构包括接触所述吸收增强结构的上表面的水平表面。

8.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片，其中，沿着所述栅格结构的顶面布置凹槽。

9.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片，其中，所述栅格结构具有与沿着所述衬底的所述背侧布置的凸缘对准的底面。

10.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片，还包括：

介电结构，包括沿着所述衬底的前侧布置的多个金属互连层。

11.一种图像传感器集成芯片，包括：

图像感测元件，布置在衬底内，其中，所述衬底的背侧包括具有在所述图像感测元件上方以周期性图案布置的多个锥形凹陷或突起的非平坦表面；

吸收增强结构，沿着所述衬底的所述背侧布置并且包括面向所述衬底的非平坦表面；

介电结构，包括沿着所述衬底的前侧布置的多个金属互连层；以及

栅格结构，限定布置在所述图像感测元件上方的开口，其中，所述栅格结构从所述吸收增强结构上方延伸至所述吸收增强结构内的位置，

其中，所述栅格结构包括接触所述吸收增强结构的上表面的水平表面。

12.根据权利要求11所述的图像传感器集成芯片，还包括：

介电层，布置在所述栅格结构的侧壁之间的位置处的所述吸收增强结构上方。

13.根据权利要求11所述的图像传感器集成芯片，其中，所述栅格结构具有位于所述吸收增强结构上方的顶面和位于所述吸收增强结构内的垂直地位于所述衬底的最上点之下的位置处的底面。

14.根据权利要求11所述的图像传感器集成芯片，还包括：

多个背侧深沟槽隔离结构，从所述衬底的所述背侧延伸至所述衬底内，其中，所述栅格结构直接设置在所述多个背侧深沟槽隔离结构上方。

15.根据权利要求14所述的图像传感器集成芯片，其中，所述衬底的所述背侧包括具有布置在所述背侧深沟槽隔离结构和所述非平坦表面之间的平坦表面的凸缘。