[发明专利]一种半导体激光器阵列封装结构在审
| 申请号： | 201710700481.0 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107293936A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李军;席道明;陈云;吕艳钊;魏皓 | 申请（专利权）人： | 江苏天元激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212300 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 阵列 封装 结构 | ||
1.一种半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，包括：
激光器阵列芯片；
分别焊接于所述激光器阵列芯片两侧的焊片；
焊接于两侧所述焊片的过渡热沉；
支撑一侧所述过渡热沉的第一散热热沉；以及
覆盖另一侧所述过渡热沉的第二散热热沉；
其中，所述第一散热热沉与所述第二散热热沉远离所述激光器阵列芯片的一端通过绝缘层相互连接。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，其中所述激光器阵列芯片两侧蒸镀有Ti-Pt-Au金属层，所述Ti-Pt-Au金属层包括Ti粘附层，Pt阻挡层及Au浸润层。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，其中所述焊片由3μm厚的预成型AuSn合金焊片制成。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，其中所述过渡热沉由热膨胀系数匹配的CuW制成，所述热膨胀系数为6.5×10-6mm/℃。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，其中所述过渡热沉与所述第一散热热沉及所述第二散热热沉之间采用焊接熔点温度低于AuSn焊片温度的焊料焊接。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，其中所述第一散热热沉与所述第二散热热沉之间设置的绝缘层为AIN电绝缘层。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于，其中所述激光器阵列芯片正极面向所述第一散热热沉，负极面向所述第二散热热沉。
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